Innodisk M3U0

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DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1066 | 1333]
1.50V

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Basismodul: Innodisk M3U0

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-M3U0M3U0-2GMJB5N9, M3U0-2GMJB5PC, M3U0-2GMJB5QE, M3U0-2GMJBCN9, M3U0-2GMJBCPC, M3U0-2GMJBCQE, M3U0-2GMVHCN9, M3U0-2GMVHCPC, M3U0-2GMVHCQE, M3U0-2GSVHCN9, M3U0-2GSVHCPC, M3U0-2GSVHCQE, M3U0-4GMJA5N9, M3U0-4GMJA5PC, M3U0-4GMJA5QE, M3U0-4GMJACN9, M3U0-4GMJACPC, M3U0-4GMJACQE, M3U0-4GMSB5N9, M3U0-4GMSB5PC, M3U0-4GMSB5QE, M3U0-4GMSBCN9, M3U0-4GMSBCPC, M3U0-4GMSBCQE, M3U0-4GSSB5N9, M3U0-4GSSB5PC, M3U0-4GSSB5QE, M3U0-4GSSBCM7, M3U0-4GSSBCN9, M3U0-4GSSBCPC, M3U0-4GSSBCQE, M3U0-8GMSA5N9, M3U0-8GMSA5PC, M3U0-8GMSA5QE, M3U0-8GMSACN9, M3U0-8GMSACPC, M3U0-8GMSACQE, M3U0-8GSSA5N9, M3U0-8GSSA5PC, M3U0-8GSSA5QE, M3U0-8GSSACN9, M3U0-8GSSACPC, M3U0-8GSSACQE
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 256Mx16, 512Mx8
GradeCommercial 0° ~ 85°C, Sorting Wide Temperature -40~+85°C
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1066, DDR3-1333
Fixed DieNein
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturLagerung-55° bis 95°C
AbmaßeFormfaktorDIMM
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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