Innodisk ACT2GHR72N8H

ACT2GHR72N8H1333M, ACT2GHR72N8H1333M-LV, ACT2GHR72N8H1333S, ACT2GHR72N8H1333S-LV, ACT2GHR72N8H1600M, ACT2GHR72N8H1600M-LV, ACT2GHR72N8H1600S, ACT2GHR72N8H1600S-LV, ACT2GHR72N8H1866M, ACT2GHR72N8H1866M-LV, ACT2GHR72N8H1866S, ACT2GHR72N8H1866S-LV

DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
ECC
2 GB
256Mx8
[1600 | 1866 | 1333]
[1.35V | 1.50V]

KONFIGURATION

Bitte konfigurieren Sie Ihr Wunschprodukt.
Standardkonfiguration Individualkonfiguration

PRODUKTPREIS

Für Ihre persönlichen Preis- und Lieferkonditionen bitte einloggen.

Verkauf nur an gewerbliche Kunden.
Lieferzeit: auf Anfrage

Basismodul: Innodisk ACT2GHR72N8H

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-ACT2GHR72N8HACT2GHR72N8H1333M-LV, ACT2GHR72N8H1600M-LV, ACT2GHR72N8H1866M-LV, ACT2GHR72N8H1333M, ACT2GHR72N8H1333S, ACT2GHR72N8H1333S-LV, ACT2GHR72N8H1600M, ACT2GHR72N8H1600S, ACT2GHR72N8H1600S-LV, ACT2GHR72N8H1866M, ACT2GHR72N8H1866S, ACT2GHR72N8H1866S-LV
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeRegistered DIMM
Kapazität2 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8
GradeCommercial
CL9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1333
ECCwird unterstützt
Bestückung Single-Rank
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
LinkedIn Twitter Facebook