Innodisk M4CE

M4CE-4GSSLC0M-F, M4CE-4GSSLC0M-G, M4CE-4GSSLCIK-G, M4CE-4GSSLCSJ-G, M4CE-4GSSLCUN-F, M4CE-4GSSLCUN-G, M4CE-8GH1LC0M-E, M4CE-8GH1LCUN-E, M4CE-8GM1LC0M-R, M4CE-8GM1LCIK-R, M4CE-8GM1LCUN-R, M4CE-8GSSMC0M-F, M4CE-8GSSMC0M-G, M4CE-8GSSMCIK-G, M4CE-8GSSMCSJ-G, M4CE-8GSSMCUN-F, M4CE-8GSSMCUN-G, M4CE-AGH1MC0M-E, M4CE-AGH1MCUN-E, M4CE-AGH2LC0M-D, M4CE-AGH2LCUN-D, M4CE-AGM1MC0M-R, M4CE-AGM1MCIK-R, M4CE-AGM1MCUN-R, M4CE-AGM2LC0M-F, M4CE-AGM2LCUN-F, M4CE-BGH2MC0M-D, M4CE-BGH2MCUN-D, M4CE-BGM2MC0M-F, M4CE-BGM2MCUN-F

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// ECC
// [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
// [2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4CE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4CEM4CE-4GSSLC0M-F, M4CE-4GSSLC0M-G, M4CE-4GSSLCIK-G, M4CE-4GSSLCSJ-G, M4CE-4GSSLCUN-F, M4CE-4GSSLCUN-G, M4CE-8GH1LC0M-E, M4CE-8GH1LCUN-E, M4CE-8GM1LC0M-R, M4CE-8GM1LCIK-R, M4CE-8GM1LCUN-R, M4CE-8GSSMC0M-F, M4CE-8GSSMC0M-G, M4CE-8GSSMCIK-G, M4CE-8GSSMCSJ-G, M4CE-8GSSMCUN-F, M4CE-8GSSMCUN-G, M4CE-AGH1MC0M-E, M4CE-AGH1MCUN-E, M4CE-AGH2LC0M-D, M4CE-AGH2LCUN-D, M4CE-AGM1MC0M-R, M4CE-AGM1MCIK-R, M4CE-AGM1MCUN-R, M4CE-AGM2LC0M-F, M4CE-AGM2LCUN-F, M4CE-BGH2MC0M-D, M4CE-BGH2MCUN-D, M4CE-BGM2MC0M-F, M4CE-BGM2MCUN-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandHynix, Micron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeCommercial
CL17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionD, E, F, G, R
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite31 mm
Tiefe133 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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