Innodisk M3S0-WT

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DDR3

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR3 mit [1 GB | 2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB]
[1Gx8 | 128Mx8 | 256Mx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1066 | 1066 | 1333]
[1.35V | 1.50V]

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Basismodul: Innodisk M3S0-WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-M3S0-WTM3S0-AGM1D5PC, M3S0-AGM1D4PC, M3S0-8GSSD4N9, M3S0-8GSSD4PC, M3S0-8GSSD4QE, M3S0-8GSSD5N9, M3S0-8GSSD5PC, M3S0-8GMSD4N9, M3S0-8GMSD4PC, M3S0-8GMSD4QE, M3S0-8GSSD5QE, M3S0-8GMSD5N9, M3S0-8GMSD5PC, M3S0-8GMSD5QE, M3S0-8GMSDDN9, M3S0-8GMSDDPC, M3S0-8GMSDDQE, M3S0-8GMSDIN9, M3S0-8GMSDIPC, M3S0-8GMSDIQE, M3S0-8GPSDDN9, M3S0-8GPSDDPC, M3S0-8GPSDIN9, M3S0-8GPSDIPC, M3S0-4GSSC4M7, M3S0-4GSSC4N9, M3S0-4GSSC4PC, M3S0-4GSSC4QE, M3S0-4GSSC5M7, M3S0-4GSSC5N9, M3S0-4GSSC5PC, M3S0-4GMSC4N9, M3S0-4GMSC4PC, M3S0-4GMSC4QE, M3S0-4GMSC5N9, M3S0-4GMSC5PC, M3S0-4GMSC5QE, M3S0-4GSSC5QE, M3S0-4GMSCDM7, M3S0-4GMSCDN9, M3S0-4GMSCDPC, M3S0-4GMSCDQE, M3S0-4GMSCIM7, M3S0-4GMSCIN9, M3S0-4GMSCIPC, M3S0-4GMSCIQE, M3S0-4GNJDDN9, M3S0-4GNJDDPC, M3S0-4GNJDDQE, M3S0-4GNJDIN9, M3S0-4GNJDIPC, M3S0-4GNJDIQE, M3S0-4GPSCDM7, M3S0-4GPSCDN9, M3S0-4GPSCDPC, M3S0-4GPSCIM7, M3S0-1GSFC4N9, M3S0-1GSFC4PC, M3S0-1GSFC5M7, M3S0-1GSFC5N9, M3S0-1GSFC5PC, M3S0-4GPSCIN9, M3S0-4GPSCIPC, M3S0-2GNJCDN9, M3S0-2GNJCDPC, M3S0-2GNJCDQE, M3S0-2GNJCIM7, M3S0-2GNJCIN9, M3S0-2GNJCIPC, M3S0-2GNJCIQE, M3S0-2GMJC4M7, M3S0-2GMJC4N9, M3S0-2GMJC4PC, M3S0-2GMJC4QE, M3S0-2GMJC5M7, M3S0-2GMJC5N9, M3S0-2GMJC5PC, M3S0-2GMJC5QE, M3S0-2GMVF4M7, M3S0-2GMVF4N9, M3S0-2GMVF4PC, M3S0-2GMVF4QE, M3S0-2GMVF5M7, M3S0-2GMVF5PC, M3S0-2GMVF5QE, M3S0-2GSVF4M7, M3S0-2GSVF4N9, M3S0-2GSVF4PC, M3S0-2GSVF4QE, M3S0-2GSVF5M7, M3S0-2GSVF5N9, M3S0-2GSVF5PC, M3S0-2GSVF5QE
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB
IC BrandMicron, Nanya, Promos, Samsung
IC Organization1Gx8, 128Mx8, 256Mx8, 256Mx16, 512Mx8
PCB S/N-, C, D, F
GradeWide Temperature -40~+85°C
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR2-1066, DDR3-1066, DDR3-1333
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung -, Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich-40°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 95%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa