Innodisk M4SS DDR4

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DDR4

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PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB]
// [1Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
// [2133 | 2400] MT/s
// 1.2V

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Basismodul: Innodisk M4SS DDR4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4SS DDR4M4SS-2GSVZC0J-E, M4SS-2GSVZCRG-E, M4SS-4GSSNC0J-B, M4SS-4GSSNC0J-E, M4SS-4GSSNCRG-E, M4SS-4GSXZ50J-B, M4SS-4GSXZ5RG-B, M4SS-4GSXZC0J-B, M4SS-4GSXZCRG-B, M4SS-8GS1NC0J-B, M4SS-8GS1NCRG-B, M4SS-8GSSOC0J-E, M4SS-8GSSOCRG-E, M4SS-8GSX8C0J-B, M4SS-8GSX8CRG-B, M4SS-AGS1OC0J-B, M4SS-AGS1OCRG-B, M4SS-8GS1N5RG-B, M4SS-8GS1N5S0J-B, M4SS-8GS1N50J-B, M4SS-AGM1OC0J-B, M4SS-AGS1O5RG-B, M4SS-AGS1O50J-B, M4SS-AGS1OGRG-B, M4SS-4GSSN5RG-B, M4SS-4GSSN5RG-E, M4SS-4GSSN50J-B, M4SS-4GSSN50J-E, M4SS-8GSSO50J-E, M4SS-8GSSO5RG-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate2400 MHz
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16
PCB S/N8, Z, N, O, Z
GradeCommercial, Commercial 0° ~ 85°C, Commercial grade IC& red color PCB, Sorting Wide Temperature -40~+85°C
CL15, 17
DIMM Datarate2133 MT/s, 2400 MT/s
Die VersionB, E
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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