Innodisk M4RE Sorting Wide

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// ECC
// [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
// [2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M4RE Sorting Wide

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4RE Sorting WideM4RE-4GSSA50M-F, M4RE-4GSSA50M-G, M4RE-4GSSA5IK-G, M4RE-4GSSA5SJ-G, M4RE-4GSSA5UN-F, M4RE-4GSSA5UN-G, M4RE-8GM1A50M-R, M4RE-8GM1A5IK-R, M4RE-8GM1A5UN-R, M4RE-8GSSB50M-F, M4RE-8GSSB50M-G, M4RE-8GSSB5IK-G, M4RE-8GSSB5SJ-G, M4RE-8GSSB5UN-F, M4RE-8GSSB5UN-G, M4RE-AGM1B50M-R, M4RE-AGM1B5IK-R, M4RE-AGM1B5UN-R, M4RE-AGH2A50M-C, M4RE-AGH2A5UN-C, M4RE-BGH2B50M-C, M4RE-BGH2B5UN-C, M4RE-4GNSA50M-F, M4RE-4GNSA5UN-F, M4RE-8GN1A50M-H, M4RE-8GN1A5UN-H, M4RE-8GNSB50M-F, M4RE-8GNSB5UN-F, M4RE-AGN1B50M-H, M4RE-AGN1B5UN-H, M4RE-8GS1A50M-G, M4RE-8GS1A5IK-G, M4RE-8GS1A5SJ-G, M4RE-8GS1A5UN-G, M4RE-AGS1B50M-G, M4RE-AGS1B5IK-G, M4RE-AGS1B5SJ-G, M4RE-AGS1B5UN-G
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandHynix, Micron, Nanya, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeWide Temperature
CL17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionC, F, G, H, R
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (sorting wide)
Lagerung-55° bis 100°C
AbmaßeFormfaktorDIMM
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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