Innodisk M4D0 WT

M4D0-4GSSPWEM, M4D0-4GSSPWIK, M4D0-4GSSPWRG, M4D0-4GSSPWSJ, M4D0-4GSSPWUN, M4D0-8GSSQWEM, M4D0-8GSSQWIK, M4D0-8GSSQWRG, M4D0-8GSSQWSJ, M4D0-8GSSQWUN, M4D0-AGM1QWIK, M4D0-AGM1QWRG, M4D0-AGM1QWSJ, M4D0-BGM2QWEM, M4D0-BGM2QWUN, M4D0-8GM1PWIK, M4D0-8GM1PWRG, M4D0-8GM1PWSJ

DDR4 WT

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// ECC
// [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
// [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

KONFIGURATION

Bitte konfigurieren Sie Ihr Wunschprodukt.
Standardkonfiguration Individualkonfiguration

PRODUKTPREIS

Preise und Lieferzeiten sind für registrierte und angemeldete Kunden sichtbar. Neukunden können diese unverbindlich anfragen.

Verkauf nur an gewerbliche Kunden.
Lieferzeit: auf Anfrage

PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4D0 WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4D0 WTM4D0-4GSSPWEM, M4D0-4GSSPWIK, M4D0-4GSSPWRG, M4D0-4GSSPWSJ, M4D0-4GSSPWUN, M4D0-8GSSQWEM, M4D0-8GSSQWIK, M4D0-8GSSQWRG, M4D0-8GSSQWSJ, M4D0-8GSSQWUN, M4D0-8GM1PWIK, M4D0-8GM1PWRG, M4D0-8GM1PWSJ, M4D0-AGM1QWIK, M4D0-AGM1QWRG, M4D0-AGM1QWSJ, M4D0-BGM2QWEM, M4D0-BGM2QWUN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
LinkedIn Facebook X