Innodisk M3UW-2GS

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DDR3

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
2 GB
[128Mx8 | 256Mx8]
[1066 | 1333 | -]
[1.35V | 1.50V]

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Basismodul: Innodisk M3UW-2GS

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-M3UW-2GSM3UW-2GSFAC0C-I, M3UW-2GSFACM7-I, M3UW-2GSFACN9-I, M3UW-2GSFAL0C-I, M3UW-2GSFALN9-I, M3UW-2GSJBC0C-F, M3UW-2GSJBCM7-F, M3UW-2GSJBCN9-F, M3UW-2GSJBL0C-F, M3UW-2GSJBLM7-F, M3UW-2GSJBLN9-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V
Kapazität2 GB
IC BrandSamsung
IC Organization128Mx8, 256Mx8
PCB S/NA, B
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
CL7, 9, 11
DIMM DatarateDDR3-1066, DDR3-1333, Original specification
Die VersionF, I
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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