Innodisk LD-M4US

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DDR4

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR4
[4 GB | 8 GB | 16 GB]
[1Gx8 | 512Mx8 | 512Mx16]
[2133 | 2400]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk LD-M4US

Allgemein
SKU / ArtikelnummerLD-M4USM4US-4GSX150J-B, M4US-4GSX1C0J-B, M4US-4GSX1CRG-B, M4US-8GS1J50J-B, M4US-8GS1J5RG-B, M4US-8GS1JC0J-B, M4US-8GS1JCRG-B, M4US-8GS1JG0J-B, M4US-8GS1VC0J-B, M4US-8GS1VCRG-B, M4US-8GSX2C0J-B, M4US-8GSX2CRG-B, M4US-AGS1K50J-B, M4US-AGS1K5RG-B, M4US-AGS1KC0J-B, M4US-AGS1KCRG-B, M4US-AGS1KG0J-B, M4US-AGS1W50J-B, M4US-AGS1WC0J-B, M4US-AGS1WCRG-B, M4US-AGS1WG0J-B, M4US-4GSSJC0J-E, M4US-4GSSJCRG-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8, 512Mx16
PCB S/N1, 2, J, K, V, W
GradeCommercial 0° ~ 85°C, Commercial grade IC& red color PCB, Sorting Wide Temperature -40~+85°C
CL15, 17
DIMM Datarate2133, 2400
Die VersionB, E
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturLagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133,35 mm
Höhe31,25 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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