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|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
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|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
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|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-4GSX1C0J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-4GSX1CRG-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
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|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
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|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
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|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-8GS1JCRG-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-8GS1JG0J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial grade IC& red color PCB |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-8GS1VC0J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-8GS1VCRG-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-8GSX2C0J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-8GSX2CRG-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1K50J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1K5RG-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1KC0J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1KCRG-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1KG0J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial grade IC& red color PCB |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1W50J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1WC0J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1WCRG-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial 0° ~ 85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |
Innodisk M4US-AGS1WG0J-B (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial grade IC& red color PCB |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
- |