Innodisk M3DW-4GS

M3DW-4GSJ6C0C-F, M3DW-4GSJ6CM7-F, M3DW-4GSJ6CN9-F, M3DW-4GSJ6L0C-F, M3DW-4GSJ6LM7-F, M3DW-4GSJ6LN9-F, M3DW-4GSS2C0C-D, M3DW-4GSS2C0C-E, M3DW-4GSS2CM7-D, M3DW-4GSS2CM7-E, M3DW-4GSS2CN9-D, M3DW-4GSS2CN9-E, M3DW-4GSS2L0C-D, M3DW-4GSS2L0C-E, M3DW-4GSS2LM7-D, M3DW-4GSS2LM7-E, M3DW-4GSS2LN9-D, M3DW-4GSS2LN9-E

DDR3

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR3
ECC
4 GB
[256Mx8 | 512Mx8]
[1066 | 1333 | 400]
[1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M3DW-4GS

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3DW-4GSM3DW-4GSJ6C0C-F, M3DW-4GSJ6CM7-F, M3DW-4GSJ6CN9-F, M3DW-4GSJ6L0C-F, M3DW-4GSJ6LM7-F, M3DW-4GSJ6LN9-F, M3DW-4GSS2C0C-D, M3DW-4GSS2C0C-E, M3DW-4GSS2CM7-D, M3DW-4GSS2CM7-E, M3DW-4GSS2CN9-D, M3DW-4GSS2CN9-E, M3DW-4GSS2L0C-D, M3DW-4GSS2L0C-E, M3DW-4GSS2LM7-D, M3DW-4GSS2LM7-E, M3DW-4GSS2LN9-D, M3DW-4GSS2LN9-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/N2, 6
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
CL7, 9, 11
DIMM DatarateDDR3-1066, DDR3-1333, DDR-400
Die VersionD, E, F
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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