Logo Innodisk
M4SE-8GS1NC
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit [4 GB | 8 GB], [1Gx8 | 512Mx8], [2933 | 3200], 1.2V
(SKUs: M4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSNCUN-F, M4SE-4GSSNI0M-F, M4SE-4GSSNIUN-F, M4SE-8GS1N50M-C, M4SE-8GS1N5UN-C, M4SE-8GS1NC0M-C, M4SE-8GS1NCUN-C, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-8GSSOIUN-F)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Embedded > SO-DIMM > DDR4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4SE-8GS1NCM4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSNCUN-F, M4SE-8GS1NC0M-C, M4SE-8GS1NCUN-C, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-8GS1N50M-C, M4SE-8GS1N5UN-C, M4SE-4GSSNI0M-F, M4SE-4GSSNIUN-F, M4SE-8GSSOIUN-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate3200
Kapazität4 GB, 8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NN, O
GradeCommercial, Wide Temperature -40~+85°C
CL21, 22
DIMM Datarate2933, 3200
Die VersionC, F
ECCwird nicht unterstützt
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
11 Standardvarianten

Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Grade Commercial
DIMM Datarate 3200
Die Version F
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version F
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
Grade Commercial
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Grade Commercial
DIMM Datarate 3200
Die Version F
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N O