Innodisk M3BT-1GSJC

M3BT-1GMJCC0E-K, M3BT-1GMJCCN9-K, M3BT-1GMJCCPC-K, M3BT-1GMJCL0E-K, M3BT-1GMJCLN9-K, M3BT-1GMJCLPC-K, M3BT-1GSJCC0E-F, M3BT-1GSJCCN9-F, M3BT-1GSJCCPC-F, M3BT-1GSJCL0E-F, M3BT-1GSJCLN9-F, M3BT-1GSJCLPC-F

DDR3

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR3
// 1 GB
// 256Mx8
// [1333 | 1600 | -] MT/s
// [1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3BT-1GSJC

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3BT-1GSJCM3BT-1GMJCC0E-K, M3BT-1GMJCCN9-K, M3BT-1GMJCCPC-K, M3BT-1GMJCL0E-K, M3BT-1GMJCLN9-K, M3BT-1GMJCLPC-K, M3BT-1GSJCC0E-F, M3BT-1GSJCCN9-F, M3BT-1GSJCCPC-F, M3BT-1GSJCL0E-F, M3BT-1GSJCLN9-F, M3BT-1GSJCLPC-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM Type32bit Unbuffered SO-DIMM
IC Data Rate1866 1.35v MHz
Kapazität1 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8
PCB S/NC
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
CL9, 11, 13
DIMM Datarate1333 MT/s, 1600 MT/s, Original specification MT/s
Die VersionF, K
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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