Innodisk M.2 (S80) 3TG6-P

DGM28-01TM71ECAQF, DGM28-01TM71EWAQF, DGM28-01TM71GCBQFS, DGM28-01TM71KCBQF, DGM28-01TM72EC1QF, DGM28-01TM72ECAQF, DGM28-01TM72EWAQF, DGM28-02TM71ECAQF, DGM28-02TM71EWAQF, DGM28-02TM71GCBQF, DGM28-02TM71KCBQF, DGM28-02TM72EWAQF, DGM28-A28M71EC1QF, DGM28-A28M71EW1QF, DGM28-A28M71KCBDFS, DGM28-A28M72EC1QF , DGM28-A28M72ECAQF, DGM28-A28M72EWAQF, DGM28-B56M71EC1QF, DGM28-B56M71EW1QF, DGM28-B56M71GCAQFS, DGM28-B56M71GCAQLS, DGM28-B56M71KCBQFS, DGM28-B56M72EC1QF, DGM28-B56M72ECAQF, DGM28-B56M72EWAQF, DGM28-C12M71EC1QF, DGM28-C12M71ECAQL, DGM28-C12M71EW1QF, DGM28-C12M71GCAQFS, DGM28-C12M71KCBQF, DGM28-C12M72EC1QF, DGM28-C12M72ECAQF, DGM28-C12M72EWAQF

M.2

PRODUKT-FEATURES

M.2 (S80) mit SATA 3
3TG6-P
0° bis 70°C | - | -40° bis 85°C

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Basismodul: Innodisk M.2 (S80) 3TG6-P

Allgemein
SKU / ArtikelnummerFL-M.2 (S80) 3TG6-PDGM28-01TM71ECAQF, DGM28-01TM71EWAQF, DGM28-A28M71EC1QF, DGM28-A28M71EW1QF, DGM28-B56M71EC1QF, DGM28-B56M71EW1QF, DGM28-C12M71EC1QF, DGM28-C12M71EW1QF, DGM28-01TM72EC1QF, DGM28-01TM72ECAQF, DGM28-01TM72EWAQF, DGM28-A28M72EC1QF , DGM28-A28M72ECAQF, DGM28-02TM71ECAQF, DGM28-02TM71EWAQF, DGM28-02TM72EWAQF, DGM28-A28M72EWAQF, DGM28-B56M72EC1QF, DGM28-B56M72ECAQF, DGM28-B56M72EWAQF, DGM28-C12M72EC1QF, DGM28-C12M72ECAQF, DGM28-C12M72EWAQF, DGM28-C12M71ECAQL, DGM28-02TM71GCBQF, DGM28-01TM71GCBQFS, DGM28-B56M71GCAQFS, DGM28-C12M71GCAQFS, DGM28-B56M71GCAQL, DGM28-B56M71GCAQLS, DGM28-01TM71KCBQF, DGM28-02TM71KCBQF, DGM28-A28M71KCBDFS, DGM28-B56M71KCBQFS, DGM28-C12M71KCBQF
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
Flash Speichermedien
Serie3TG6-P
Anschluss (Interface)SATA 3
Flash AufbauM.2 (NGFF)
Key TypB + M
Flash Type3D TLC
ChipgehäuseBGA (Ball Grid Array) A, BGA (Ball Grid Array) B, TSOP 1
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit)3000
Kapazität1 TB, 2 TB, 128 GB, 256 GB, 512 GB
Controller88SS1080 (SATA + AES Function), 88SS1080 (SATA)
Channel4, 8
Maximale Stromaufnahme2,63 W
PerformanceFlash ChipKioxia (Toshiba)
MessmittelCrystalDiskMark 5.1.2
Sequentielles Lesen1.000 MB/s, 1.650 MB/s, 2.650 MB/s, 3.000 MB/s, 3.500 MB/s, 3.550 MB/s, 420 MB/s, 510 MB/s, 520 MB/s
Sequentielles Schreiben1.000 MB/s, 1.750 MB/s, 2.000 MB/s, 2.500 MB/s, 2.600 MB/s, 25.000 MB/s, 90 MB/s, 180 MB/s, 340 MB/s, 450 MB/s, 500 MB/s, 890 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen960 IOPS, 1600 IOPS, 1850 IOPS, 30000 IOPS, 55000 IOPS, 71000 IOPS, 72000 IOPS, 73000 IOPS, 79000 IOPS, 153000 IOPS, 258000 IOPS, 395000 IOPS, 418000 IOPS, 477000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben110 IOPS, 220 IOPS, 1000 IOPS, 23000 IOPS, 45000 IOPS, 58000 IOPS, 59000 IOPS, 68000 IOPS, 249000 IOPS, 370000 IOPS, 375000 IOPS, 381000 IOPS, 548000 IOPS
WärmesensorJa
TRIMwird unterstützt
Externer DRAM Bufferwird unterstützt
Flash Mode64 Layers 3D Flash (BiCS3 / B16 / B17), 96 Layers 3D Flash, 112/128 Layers 3D Flash, Kioxia (Toshiba) 3D TLC
ATA SecurityJa
Advanced Encryption Standard (AES)Ja
S.M.A.R.TJa
Customized-, Single Side
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 70°C, -, -40° bis 85°C
Lagerung-55° bis 95°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorM.2 (S80)
Typ2280
Breite22 mm
Tiefe80 mm
Höhe4 mm
VibrationVibration20G, 7-2000Hz, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-6
SchockMessdaten1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-27
Gewicht8 g
MTBFMTBF 25°C3.000.000 h
BerechnungsmodellTelcordia SR-332
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
FCCClass BJa
Weitere Zertifikate / KonformitätenEN 55022, EN 55024, EN 61000-3-2, EN 61000-3-3, EN 61000-4-2 (ESD), EN 61000-4-3, EN 61000-4-4 (EFT)
RoHS konformJa