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Innodisk M4CE-AGS1MC
DIMM, DDR4 mit [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB], [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8], [2933 | 3200], 1.2V
(SKUs: M4CE-4GS1L50M-C, M4CE-4GS1L5UN-C, M4CE-4GS1LC0M-C, M4CE-4GS1LCUN-C, M4CE-4GSSL50M-C, M4CE-4GSSL50M-F, M4CE-4GSSL5UN, M4CE-4GSSL5UN-C, M4CE-4GSSL5UN-F, M4CE-4GSSLC0M-C, M4CE-4GSSLC0M-F, M4CE-4GSSLCUN-C, M4CE-4GSSLCUN-F, M4CE-8GS1L50M, M4CE-8GS1L50M-C, M4CE-8GS1L5UN, M4CE-8GS1L5UN-C, M4CE-8GS1LC0M, M4CE-8GS1LC0M-C, M4CE-8GS1LCUN, M4CE-8GS1LCUN-C, M4CE-8GSSL50M-C, M4CE-8GSSL5UN-C, M4CE-8GSSLC0M-C, M4CE-8GSSLCUN-C, M4CE-8GSSM50M-F, M4CE-8GSSM5UN-F, M4CE-8GSSMC0M-F, M4CE-8GSSMCUN-F, M4CE-AGS1M50M-C, M4CE-AGS1M5UN-C, M4CE-AGS1MC0M-C, M4CE-AGS1MCUN-C, M4CE-BGS2M50M-A, M4CE-BGS2M5UN-A, M4CE-BGS2MC0M-A, M4CE-BGS2MCUN-A)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Embedded > LONG DIMM > DDR4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4CE-AGS1MCM4CE-4GSSL5UN, M4CE-8GS1L50M, M4CE-8GS1L5UN, M4CE-8GS1LC0M, M4CE-8GS1LCUN, M4CE-4GS1L50M-C, M4CE-4GS1L5UN-C, M4CE-4GS1LC0M-C, M4CE-4GS1LCUN-C, M4CE-4GSSL50M-C, M4CE-4GSSL50M-F, M4CE-4GSSL5UN-C, M4CE-4GSSL5UN-F, M4CE-4GSSLC0M-C, M4CE-4GSSLC0M-F, M4CE-4GSSLCUN-C, M4CE-4GSSLCUN-F, M4CE-8GS1L50M-C, M4CE-8GS1L5UN-C, M4CE-8GS1LC0M-C, M4CE-8GS1LCUN-C, M4CE-8GSSL50M-C, M4CE-8GSSL5UN-C, M4CE-8GSSLC0M-C, M4CE-8GSSLCUN-C, M4CE-8GSSM50M-F, M4CE-8GSSM5UN-F, M4CE-8GSSMC0M-F, M4CE-8GSSMCUN-F, M4CE-AGS1M50M-C, M4CE-AGS1M5UN-C, M4CE-AGS1MC0M-C, M4CE-AGS1MCUN-C, M4CE-BGS2MC0M-A, M4CE-BGS2MCUN-A, M4CE-BGS2M50M-A, M4CE-BGS2M5UN-A
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data Rate3200
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/NL, M
GradeCommercial 0° ~ 85°C, Wide Temperature -40~+85°C
CL21, 22
DIMM Datarate2933, 3200
Die Version-, A, C, F
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe31 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
37 Standardvarianten

DIMM, DDR4 mit 4 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version F
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version -
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version F
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version -
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version -
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version -
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version -
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N L
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version F
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version F
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version C
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 22
IC Organization 2Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version A
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 21
IC Organization 2Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version A
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 22
IC Organization 2Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 3200
Die Version A
PCB S/N M
DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 21
IC Organization 2Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version A
PCB S/N M