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M4RE
Innodisk DIMM, DDR4 mit [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB], [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8], [2666 | 2933], 1.2V
(SKUs: M4RE-4GSSA50M-F, M4RE-4GSSA5UN-F, M4RE-8GS1A50M-C, M4RE-8GS1A5UN-C, M4RE-8GSSB50M-F, M4RE-8GSSB5UN-F, M4RE-AGS1B50M-C, M4RE-AGS1B5UN-C, M4RE-AGS1DC0M-C, M4RE-AGS1DCUN-C, M4RE-BGM2DC0M-E, M4RE-BGM2DCUN-E)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Server > LONG DIMM VLP > DDR4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4REM4RE-8GS1A5UN-C, M4RE-AGS1B5UN-C, M4RE-AGS1DCUN-C, M4RE-BGM2DCUN-E, M4RE-8GS1A50M-C, M4RE-AGS1B50M-C, M4RE-AGS1DC0M-C, M4RE-BGM2DC0M-E, M4RE-4GSSA50M-F, M4RE-4GSSA5UN-F, M4RE-8GSSB50M-F, M4RE-8GSSB5UN-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/NA, B, D
GradeCommercial, Wide Temperature -40~+85°C
CL21, 22
DIMM Datarate2666, 2933
Die VersionC, E, F
Fixed DieJa
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval3.9 µS
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
12 Standardvarianten

Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N A
Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N A
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N A
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N A
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N B
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version F
PCB S/N B
Innodisk DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N B
Innodisk DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N B
Innodisk DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N D
Innodisk DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
Die Version C
PCB S/N D
Innodisk DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 22
IC Organization 2Gx8
IC Brand Micron
Grade Commercial
DIMM Datarate 2666
Die Version E
PCB S/N D
Innodisk DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 21
IC Organization 2Gx8
IC Brand Micron
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
Die Version E
PCB S/N D