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M4UE
Innodisk DIMM, DDR4 mit [4 GB | 8 GB], 512Mx8, [2933 | 3200], 1.50V
(SKUs: M4UE-4GSSJ50M-F, M4UE-4GSSJ5UN-F, M4UE-4GSSJC0M-F, M4UE-4GSSJCUN-F, M4UE-4GSSJI0M-F, M4UE-4GSSJIUN-F, M4UE-8GSSK50M-F, M4UE-8GSSK5UN-F, M4UE-8GSSKC0M-F, M4UE-8GSSKCUN-F, M4UE-8GSSKI0M-F, M4UE-8GSSKIUN-F)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Embedded > LONG DIMM > DDR4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4UEM4UE-4GSSJC0M-F, M4UE-4GSSJCUN-F, M4UE-8GSSKC0M-F, M4UE-8GSSKCUN-F, M4UE-4GSSJI0M-F, M4UE-4GSSJIUN-F, M4UE-8GSSKI0M-F, M4UE-8GSSKIUN-F, M4UE-4GSSJ50M-F, M4UE-4GSSJ5UN-F, M4UE-8GSSK50M-F, M4UE-8GSSK5UN-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/NJ, K
GradeCommercial, Wide Temperature -40~+85°C
CL21, 22
DIMM Datarate2933, 3200
Die VersionF
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturLagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite134 mm
Höhe32 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
Bestückung
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
PCB S/N
12 Standardvarianten

Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.50V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N J
Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.50V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N J
Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.50V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 3200
PCB S/N J
Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.50V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
PCB S/N J
Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.50V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N J
Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.50V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N J
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.50V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N K
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.50V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N K
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.50V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 3200
PCB S/N K
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.50V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
PCB S/N K
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.50V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N K
Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.50V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N K