Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4C0-8GS1LWM4C0-8GS1LWIK, M4C0-8GS1LWRG, M4C0-8GS1LWSJ
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8
PCB S/NL
GradeWide Temperature
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
CL15, 17, 19
ECCwird unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe31 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
DIMM Datarate
3 Standardvarianten

Innodisk, M4C0-8GS1LWIK, -
7.8 µS (8 GB)
System Speicher CL 19
1Gx8
Single-Rank
Wide Temperature
System DIMM Datarate 2666
L
Innodisk, M4C0-8GS1LWRG, -
7.8 µS (8 GB)
System Speicher CL 15
1Gx8
Single-Rank
Wide Temperature
System DIMM Datarate 2133
L
Innodisk, M4C0-8GS1LWSJ, -
7.8 µS (8 GB)
System Speicher CL 16
1Gx8
Single-Rank
Wide Temperature
System DIMM Datarate 2400
L