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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
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Die Version |
G |
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2666 MT/s |
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|
Die Version |
G |
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
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Die Version |
R |
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
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Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GM1NI0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
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Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GM1NIIK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GM1NIUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
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|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
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Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GS1NI0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
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Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GS1NIIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
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Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GS1NIUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GSSOI0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GSSOIIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GSSOIUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GWSOI0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GWSOIUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-AGM1OI0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-AGM1OIIK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
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Die Version |
R |
Innodisk M4SE-AGM1OIUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
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Die Version |
R |
Innodisk M4SE-AGS1OI0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-AGS1OIIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-AGS1OIUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-BGM2OI0M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
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|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-BGM2OIUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |