Innodisk M4SE WT

M4SE-4GSSNI0M-G, M4SE-4GSSNIIK-G, M4SE-4GSSNIUN-G, M4SE-4GWSNI0M-R, M4SE-4GWSNIUN-R, M4SE-8GM1NI0M-R, M4SE-8GM1NIIK-R, M4SE-8GM1NIUN-R, M4SE-8GS1NI0M-G, M4SE-8GS1NIIK-G, M4SE-8GS1NIUN-G, M4SE-8GSSOI0M-G, M4SE-8GSSOIIK-G, M4SE-8GSSOIUN-G, M4SE-8GWSOI0M-R, M4SE-8GWSOIUN-R, M4SE-AGM1OI0M-R, M4SE-AGM1OIIK-R, M4SE-AGM1OIUN-R, M4SE-AGS1OI0M-G, M4SE-AGS1OIIK-G, M4SE-AGS1OIUN-G, M4SE-BGM2OI0M-F, M4SE-BGM2OIUN-F

DDR4 WT

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
// [2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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Basismodul: Innodisk M4SE WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4SE WTM4SE-8GM1NI0M-R, M4SE-8GM1NIIK-R, M4SE-8GM1NIUN-R, M4SE-AGM1OI0M-R, M4SE-AGM1OIIK-R, M4SE-AGM1OIUN-R, M4SE-4GSSNI0M-G, M4SE-4GSSNIIK-G, M4SE-4GSSNIUN-G, M4SE-8GSSOI0M-G, M4SE-8GSSOIIK-G, M4SE-8GSSOIUN-G, M4SE-BGM2OI0M-F, M4SE-BGM2OIUN-F, M4SE-8GS1NI0M-G, M4SE-8GS1NIIK-G, M4SE-8GS1NIUN-G, M4SE-AGS1OI0M-G, M4SE-AGS1OIIK-G, M4SE-AGS1OIUN-G, M4SE-4GWSNI0M-R, M4SE-4GWSNIUN-R, M4SE-8GWSOI0M-R, M4SE-8GWSOIUN-R
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeWide Temperature
CL19, 21, 22
DIMM Datarate2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionF, G, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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