Innodisk M4UE-4GSSJI0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-4GSSJIIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-4GSSJIUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-4GWSJI0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-4GWSJIUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-8GM1JI0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-8GM1JIIK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-8GM1JIUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-8GS1JI0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-8GS1JIIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-8GS1JIUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-8GSSKI0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-8GSSKIIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-8GSSKIUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-8GWSKI0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-8GWSKIUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-AGM1KI0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-AGM1KIIK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-AGM1KIUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4UE-AGS1KI0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-AGS1KIIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-AGS1KIUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4UE-BGM2KI0M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4UE-BGM2KIUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |