Innodisk M4UE WT

M4UE-4GSSJI0M-G, M4UE-4GSSJIIK-G, M4UE-4GSSJIUN-G, M4UE-4GWSJI0M-R, M4UE-4GWSJIUN-R, M4UE-8GM1JI0M-R, M4UE-8GM1JIIK-R, M4UE-8GM1JIUN-R, M4UE-8GS1JI0M-G, M4UE-8GS1JIIK-G, M4UE-8GS1JIUN-G, M4UE-8GSSKI0M-G, M4UE-8GSSKIIK-G, M4UE-8GSSKIUN-G, M4UE-8GWSKI0M-R, M4UE-8GWSKIUN-R, M4UE-AGM1KI0M-R, M4UE-AGM1KIIK-R, M4UE-AGM1KIUN-R, M4UE-AGS1KI0M-G, M4UE-AGS1KIIK-G, M4UE-AGS1KIUN-G, M4UE-BGM2KI0M-F, M4UE-BGM2KIUN-F

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
// [2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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Basismodul: Innodisk M4UE WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4UE WTM4UE-4GSSJI0M-G, M4UE-4GSSJIIK-G, M4UE-4GSSJIUN-G, M4UE-8GSSKI0M-G, M4UE-8GSSKIIK-G, M4UE-8GSSKIUN-G, M4UE-8GM1JI0M-R, M4UE-8GM1JIIK-R, M4UE-8GM1JIUN-R, M4UE-AGM1KI0M-R, M4UE-AGM1KIIK-R, M4UE-AGM1KIUN-R, M4UE-BGM2KI0M-F, M4UE-BGM2KIUN-F, M4UE-8GS1JI0M-G, M4UE-8GS1JIIK-G, M4UE-8GS1JIUN-G, M4UE-AGS1KI0M-G, M4UE-AGS1KIIK-G, M4UE-AGS1KIUN-G, M4UE-4GWSJI0M-R, M4UE-4GWSJIUN-R, M4UE-8GWSKI0M-R, M4UE-8GWSKIUN-R
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeWide Temperature
CL19, 21, 22
DIMM Datarate2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionF, G, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe31,25 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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