Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4UI-8GSSKIM4UI-8GSSKI0K-F, M4UI-8GSSKIRG-F, M4UI-8GSSKISJ-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/NK
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133, 2400, Original specification
CL15, 17, 19
Die VersionF
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe31 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
DIMM Datarate
3 Standardvarianten

Innodisk, M4UI-8GSSKI0K-F, -
System Speicher CL 19
DIMM Datarate Original specification
Innodisk, M4UI-8GSSKIRG-F, -
System Speicher CL 15
DIMM Datarate 2133
Innodisk, M4UI-8GSSKISJ-F, -
System Speicher CL 17
DIMM Datarate 2400