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SKU / ArtikelnummerDDR4-M4DI-8M4DI-8GS1PWRG-C, M4DI-8GSSQWRG-F, M4DI-8GS1PW0K-C, M4DI-8GS1PWSJ-C, M4DI-8GSSQW0K-F, M4DI-8GSSQWSJ-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NP, Q
GradeWide Temperature
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
CL15, 17, 19
Die VersionC, F
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB), 7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
6 Standardvarianten

Innodisk, M4DI-8GS1PW0K-C, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 19
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N P
Innodisk, M4DI-8GS1PWRG-C, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2133
Die Version C
PCB S/N P
Innodisk, M4DI-8GS1PWSJ-C, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2400
Die Version C
PCB S/N P
Innodisk, M4DI-8GSSQW0K-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 19
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N Q
Innodisk, M4DI-8GSSQWRG-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2133
Die Version F
PCB S/N Q
Innodisk, M4DI-8GSSQWSJ-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N Q