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M4R0
Innodisk DIMM, DDR4 mit [4 GB | 8 GB | 32 GB], [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8], [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200], 1.2V
(SKUs: M4R0-4GSSCCRG, M4R0-4GSSCCSJ, M4R0-8GS1CCRG, M4R0-8GS1CCSJ, M4R0-8GSSDCIK, M4R0-8GSSDCRG, M4R0-8GSSDCSJ, M4R0-BGM2DCEM, M4R0-BGM2DCUN, M4R0-BGS2DCIK)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Server > LONG DIMM VLP > DDR4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4R0M4R0-4GSSCCRG, M4R0-4GSSCCSJ, M4R0-8GS1CCRG, M4R0-8GS1CCSJ, M4R0-8GSSDCIK, M4R0-8GSSDCRG, M4R0-8GSSDCSJ, M4R0-BGM2DCEM, M4R0-BGM2DCIK, M4R0-BGM2DCUN, M4R0-BGS2DCIK
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/NC, D
GradeCommercial
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133, 2400, 2666, 2933, 3200
Fixed DieNein
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 90%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
IC Brand
DIMM Datarate
PCB S/N
10 Standardvarianten

Innodisk M4R0-4GSSCCRG

Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2133
PCB S/N C

Innodisk M4R0-4GSSCCSJ

Innodisk DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2400
PCB S/N C

Innodisk M4R0-8GS1CCRG

Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2133
PCB S/N C

Innodisk M4R0-8GS1CCSJ

Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2400
PCB S/N C

Innodisk M4R0-8GSSDCIK

Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2666
PCB S/N D

Innodisk M4R0-8GSSDCRG

Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2133
PCB S/N D

Innodisk M4R0-8GSSDCSJ

Innodisk DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2400
PCB S/N D

Innodisk M4R0-BGM2DCEM

Innodisk DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 22
IC Organization 2Gx8
IC Brand Micron
DIMM Datarate 3200
PCB S/N D

Innodisk M4R0-BGM2DCUN

Innodisk DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 21
IC Organization 2Gx8
IC Brand Micron
DIMM Datarate 2933
PCB S/N D

Innodisk M4R0-BGS2DCIK

Innodisk DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 19
IC Organization 2Gx8
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2666
PCB S/N D