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Innodisk M4RS
DIMM, DDR4 mit [4 GB | 8 GB | 16 GB], [1Gx8 | 512Mx8], [2133 | 2400], 1.2V
(SKUs: M4RS-4GSSCC0J-E, M4RS-4GSSCCRG-E, M4RS-8GS1CC0J-B, M4RS-8GS1CCRG-B, M4RS-8GSSDC0J-E, M4RS-8GSSDCRG-E, M4RS-AGS1DC0J-B, M4RS-AGS1DCRG-B)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Server > LONG DIMM VLP > DDR4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4RSM4RS-4GSSCC0J-E, M4RS-4GSSCCRG-E, M4RS-8GS1CC0J-B, M4RS-8GS1CCRG-B, M4RS-8GSSDC0J-E, M4RS-8GSSDCRG-E, M4RS-AGS1DC0J-B, M4RS-AGS1DCRG-B
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data Rate2400
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NC, D
GradeCommercial 0° ~ 85°C
CL15, 17
DIMM Datarate2133, 2400
Die Version-, B, E
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
Bestückung
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
8 Standardvarianten

Innodisk M4RS-4GSSCC0J-E (EOL)

DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version E
PCB S/N C

Innodisk M4RS-4GSSCCRG-E (EOL)

DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version E
PCB S/N C
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version B
PCB S/N C
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version B
PCB S/N C

Innodisk M4RS-8GSSDC0J-E (EOL)

DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version E
PCB S/N D

Innodisk M4RS-8GSSDCRG-E (EOL)

DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version E
PCB S/N D
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version B
PCB S/N D
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial 0° ~ 85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version B
PCB S/N D