DDR3
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// DIMM
// DDR3
// 2 GB
// [128Mx8 | 256Mx8]
// [1066 (DDR3) | 1333 | -] MT/s
// [1.35V | 1.50V]
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Basismodul: Innodisk M3CW-2GS
| Allgemein | ||||
| SKU / Artikelnummer | M3CW-2GS | |||
| Produktgrunddaten | ||||
| Hersteller | Innodisk | |||
| System | ||||
| Speicher | Aufbau | 240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L | ||
| Memory Type | DDR3 | |||
| DIMM Type | ECC Unbuffered DIMM | |||
| IC Data Rate | DDR3-1600 1.35V MHz | |||
| Kapazität | 2 GB | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| IC Organization | 128Mx8, 256Mx8 | |||
| PCB S/N | 1, 3 | |||
| Grade | Commercial, Low Voltage Commercial | |||
| CL | 7, 9, 11 | |||
| DIMM Datarate | 1066 (DDR3) MT/s, 1333 MT/s, Original specification MT/s | |||
| Die Version | F, I | |||
| ECC | wird unterstützt | |||
| Bestückung | Dual-Rank, Single-Rank | |||
| tREFI Parameter 1 | Average Periodic Refresh Interval | 7.8 µS | ||
| Temperaturbereich | 0°C ~ 85°C | |||
| Stromversorgung | ||||
| Eingangsspannung | 1.35V, 1.50V | |||
| Mechanik / Umgebung | ||||
| Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | ||
| Lagerung | -50° bis 100°C | |||
| Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
| Lagerung | 5 bis 95%, nicht kondensierend | |||
| Abmaße | Formfaktor | DIMM | ||
| Tiefe | 133 mm | |||
| Höhe | 30 mm | |||
| Zertifikate / Konformitäten | ||||
| CE | Ja | |||
| RoHS konform | Ja | |||
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