Innodisk M3CW-8GSS3

M3CW-8GSS3C0C-D, M3CW-8GSS3C0C-E, M3CW-8GSS3CM7-D, M3CW-8GSS3CM7-E, M3CW-8GSS3CN9-D, M3CW-8GSS3CN9-E, M3CW-8GSS3L0C-D, M3CW-8GSS3L0C-E, M3CW-8GSS3LM7-D, M3CW-8GSS3LN9-D, M3CW-8GSS3LN9-E

DDR3

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR3
// ECC
// 8 GB
// 512Mx8
// [1066 (DDR3) | 1333 | -] MT/s
// [1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M3CW-8GSS3

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3CW-8GSS3M3CW-8GSS3C0C-D, M3CW-8GSS3C0C-E, M3CW-8GSS3CM7-D, M3CW-8GSS3CM7-E, M3CW-8GSS3CN9-D, M3CW-8GSS3CN9-E, M3CW-8GSS3L0C-D, M3CW-8GSS3L0C-E, M3CW-8GSS3LM7-D, M3CW-8GSS3LN9-D, M3CW-8GSS3LN9-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V MHz
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/N3
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
CL7, 9, 11
DIMM Datarate1066 (DDR3) MT/s, 1333 MT/s, Original specification MT/s
Die VersionD, E
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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