Innodisk M3UT

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DDR3

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR3
// [2 GB | 4 GB | 8 GB]
// [256Mx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
// [1333 | 1600 | 1866] MT/s
// 1.50V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3UT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3UTM3UT-2GMVHCN9-P, M3UT-2GMJBC0E-K, M3UT-2GMJBCN9-K, M3UT-2GMJBCPC-K, M3UT-2GMVHC0E-P, M3UT-2GMVHCPC-P, M3UT-2GSVHC0E-E, M3UT-2GSVHCN9-E, M3UT-2GSVHCPC-E, M3UT-4GMJAC0E-K, M3UT-4GMJACN9-K, M3UT-4GMJACPC-K, M3UT-4GMSBC0E-P, M3UT-4GMSBCN9-P, M3UT-4GMSBCPC-P, M3UT-4GSSBC0E-E, M3UT-4GSSBCN9-E, M3UT-4GSSBCPC-E, M3UT-8GMSAC0E-P, M3UT-8GMSACN9-P, M3UT-8GMSACPC-P, M3UT-8GSSAC0E-E, M3UT-8GSSACN9-E, M3UT-8GSSACPC-E, M3UT-2GWVHC0E-R, M3UT-2GWVHCN9-R, M3UT-2GWVHCPC-R, M3UT-4GWSBC0E-R, M3UT-4GWSBCN9-R, M3UT-4GWSBCPC-R, M3UT-8GWSAC0E-R, M3UT-8GWSACN9-R, M3UT-8GWSACPC-R
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate1866 1.35v MHz
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung, Winbond
IC Organization256Mx8, 256Mx16, 512Mx8
GradeCommercial
CL9, 11, 13
DIMM Datarate1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Die VersionE, K, P, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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