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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-4GSSLCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-8GSSMCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-8GSSMCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-8GSSMCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-8GSSMCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS1MCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
- |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS1MCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
- |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
PCB S/N |
- |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
PCB S/N |
- |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS1MCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
- |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS2LCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS2LCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-BGS2MCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-BGS2MCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-BGS2MCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |