Innodisk M5U0

M5U0-8GSY1CVP, M5U0-8GSY1CZQ, M5U0-AGS2JCVP, M5U0-AGS2JCZQ, M5U0-BGS2KCVP, M5U0-BGS2KCZQ, M5U0-FGHZJCVP, M5U0-FGHZJCZQ, M5U0-GGHZKCVP, M5U0-GGHZKCZQ

DDR5

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR5
// [8 GB | 16 GB | 24 GB | 32 GB | 48 GB]
// [1Gx16 | 2Gx8 | 3Gx8]
// [4800 | 5600] MT/s
// 1.1V

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PRODUKTINFORMATIONEN

Basismodul: Innodisk M5U0

Allgemein
	SKU / Artikelnummer		M5U0
Produktgrunddaten
	Hersteller		Innodisk
System
	Speicher	Aufbau	288 Pin DIMM DDR5
		Memory Type	DDR5
		DIMM Type	Unbuffered DIMM
		IC Data Rate	Non-Fixed MHz
		Kapazität	8 GB, 16 GB, 24 GB, 32 GB, 48 GB
		IC Brand	Hynix, Samsung
		IC Organization	1Gx16, 2Gx8, 3Gx8
		Grade	Commercial
		CL	40, 46
		DIMM Datarate	4800 MT/s, 5600 MT/s
		ECC	wird nicht unterstützt
Stromversorgung
	Eingangsspannung		1.1V
Mechanik / Umgebung
	Temperatur	Betrieb	0° bis 95°C
		Lagerung	-55° bis 100°C
	Abmaße	Formfaktor	DIMM
		Breite	133,35 mm
		Höhe	31,25 mm
Zertifikate / Konformitäten
	CE		Ja
	RoHS konform		Ja

Product Change Notification (PCN)

Title PCB Appearance Change For DDR5 Non-ECC UDIMM (2Rank) Description Key Characteristics of the Change: There is a minor change in the appearance of the PCB's six tiny round points, which will be covered with a solder mask. ( As shown below ) Description: The six tiny round points are for SMT purposes. DDR5 Non-ECC UDIMM modules are in the mass production stage. There is no need to recognize these six tiny round points; thus, they will be covered with a solder mask.
Revision:	D250227
Revision date:	21. März 2025
Last purchase date:	1. April 2025
Last shipping date:
Betroffene Produkte:	M5U0-BGG2KCVP, M5U0-BGG2KCZQ, M5U0-BGM2KWVP, M5U0-BGM2KWZQ, M5U0-BGS2K5VP, M5U0-BGS2K5ZQ, M5U0-BGS2KCVP, M5U0-BGS2KCZQ, M5U0-GGHZK5ZQ, M5U0-GGHZKCVP, M5U0-GGHZKCZQ, M5U0-GGMZK5ZQ, M5UV-BGS2K50P-B, M5UV-BGS2KC0P-B, M5UZ-BGG2KC0Q-E, M5UZ-BGG2KCVP-E, M5UZ-BGM2KW0Q-D, M5UZ-BGM2KWVP-D, M5UZ-BGS2K50Q-P, M5UZ-BGS2K5VP-P, M5UZ-BGS2KC0Q-P, M5UZ-BGS2KCVP-P, M5UZ-GGHZK50Q-M, M5UZ-GGHZKC0Q-M, M5UZ-GGHZKCVP-M, M5UZ-GGMZK50Q-B
Hinweis Dokument:	Innodisk [PCN_D250227] PCB Appearance Change For DDR5 Non-ECC UDIMM (2Rank).pdf
Product Change Notification (PCN)

Key Characteristics of the Change: Due to the formal release of DDR5 NonECC UDIMM modules, there is a minor change in the appearance of the PCB's six tiny round points, which will be covered with a solder mask. ( As shown in the pictures below ) Description: The six tiny round points are for the check purpose in the SMT process. DDR5 NonECC UDIMM modules have been in the mass production stage. There is no need to recognize these 6 tiny round points; thus, they will be covered with a solder mask. Include but not limited to below products: DDR5 NonECC UDIMM(1Rank) product series. (WT included) Innodisk module PN will stay the same.
Revision:	23091101
Revision date:	11. September 2023
Last purchase date:	31. Oktober 2023
Last shipping date:
Betroffene Produkte:	M5U0-AGS2JCVP
Hinweis Dokument:	[PCN_23091101] PCB Appearance Change For DDR5 Non-ECC UDIMM (1Rank).pdf
Product Change Notification (PCN)

Key Characteristics of the Change: Based on the supplier’s product change plan, Innodisk hereby announces the product change plan from DDR5 RICHTEK PMIC to DDR5 RICHTEK new version of PMIC. Description: Due to the PMIC supplier’s product change plan, the supplier discontinues the 9U6RT5132010 (DDR5 PMIC) with the alternative solution being 9U6RT5132020 (DDR5 PMIC). Innodisk will process the product change from 9U6RT5132010 to 9U6RT5132020. The information within the associated SPD codes and the checksum will be changed. Include but not limited to below products: 1. DDR5 4800 product series(WT, UT included): UDIMM/UDIMM ULP/SODIMM/ECC UDIMM/ECC UDIMM VLP/ECC SODIMM Innodisk part numbers will remain the same. Affected component # Current Part Number New Part Number 9U6RT5132010 9U6RT5132020
Revision:	23080101
Revision date:	1. August 2023
Last purchase date:	31. Oktober 2023
Last shipping date:	31. Januar 2024
Betroffene Produkte:	M5S0-BGS2OCVP, M5SV-8GSYZ50P-B, M5SV-8GSYZC0P-B, M5SV-AGS2N50P-B, M5SV-AGS2NC0P-B, M5SV-BGS2O50P-B, M5SV-BGS2OC0P-B, M5U0-8GSY1CVP, M5U0-AGS2JCVP, M5U0-BGM2KWVP, M5U0-BGS2KCVP
Hinweis Dokument:	[PCN_23080101] DDR5 PMIC product change notice (ECC & non-ECC).pdf

Innodisk M5U0

PRODUKT-FEATURES

KONFIGURATION

PRODUKTPREIS

PRODUKTINFORMATIONEN

KONFIGURATIONEN

Datasheets 16GB

Datasheets 24GB

Datasheets 32GB

Datasheets 48GB

Datasheets 8GB

Innodisk M5U0-8GSY1CVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-8GSY1CZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-AGS2JCVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-AGS2JCZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-BGS2KCVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-BGS2KCZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-FGHZJCVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-FGHZJCZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-GGHZKCVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-GGHZKCZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

Innodisk M5U0-8GSY1CVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 8 GB, 1Gx16, 4800 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	40
		IC Organization	1Gx16
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	4800 MT/s
Innodisk M5U0-8GSY1CZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 8 GB, 1Gx16, 5600 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	46
		IC Organization	1Gx16
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	5600 MT/s
Innodisk M5U0-AGS2JCVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 16 GB, 2Gx8, 4800 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	16 GB
		CL	40
		IC Organization	2Gx8
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	4800 MT/s
Innodisk M5U0-AGS2JCZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 16 GB, 2Gx8, 5600 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	16 GB
		CL	46
		IC Organization	2Gx8
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	5600 MT/s
Innodisk M5U0-BGS2KCVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 32 GB, 2Gx8, 4800 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	32 GB
		CL	40
		IC Organization	2Gx8
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	4800 MT/s
Innodisk M5U0-BGS2KCZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 32 GB, 2Gx8, 5600 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	32 GB
		CL	46
		IC Organization	2Gx8
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	5600 MT/s
Innodisk M5U0-FGHZJCVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 24 GB, 3Gx8, 4800 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	24 GB
		CL	40
		IC Organization	3Gx8
		IC Brand	Hynix
		DIMM Datarate	4800 MT/s
Innodisk M5U0-FGHZJCZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 24 GB, 3Gx8, 5600 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	24 GB
		CL	46
		IC Organization	3Gx8
		IC Brand	Hynix
		DIMM Datarate	5600 MT/s
Innodisk M5U0-GGHZKCVP Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 48 GB, 3Gx8, 4800 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	48 GB
		CL	40
		IC Organization	3Gx8
		IC Brand	Hynix
		DIMM Datarate	4800 MT/s
Innodisk M5U0-GGHZKCZQ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR5, 48 GB, 3Gx8, 5600 MT/s, 1.1V
System	Speicher	Kapazität	48 GB
		CL	46
		IC Organization	3Gx8
		IC Brand	Hynix
		DIMM Datarate	5600 MT/s