DDR3 ULP/VLP
Produkt ist EOL (End Of Life)!
// SO-DIMM
// DDR3
// 4 GB
// 512Mx8
// - MT/s
// 1.50V
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Basismodul: Innodisk DDR3-M3DW-4GSSYC0C
| Allgemein | ||||
| SKU / Artikelnummer | DDR3-M3DW-4GSSYC0C | |||
| Produktgrunddaten | ||||
| Hersteller | Innodisk | |||
| System | ||||
| Speicher | Aufbau | 204 Pin SO-DIMM DDR3 | ||
| Memory Type | DDR3 | |||
| DIMM Type | ECC Unbuffered SO DIMM | |||
| IC Data Rate | DDR3-1600 1.35V MHz | |||
| Kapazität | 4 GB | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| PCB S/N | Y | |||
| Grade | Commercial | |||
| CL | 11 | |||
| DIMM Datarate | Original specification MT/s | |||
| Die Version | D, E | |||
| ECC | wird unterstützt | |||
| Bestückung | Single-Rank | |||
| tREFI Parameter 1 | Average Periodic Refresh Interval | 7.8 µS | ||
| Temperaturbereich | 0°C ~ 85°C | |||
| Stromversorgung | ||||
| Eingangsspannung | 1.50V | |||
| Mechanik / Umgebung | ||||
| Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | ||
| Lagerung | -50° bis 100°C | |||
| Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
| Lagerung | 5 bis 95%, nicht kondensierend | |||
| Abmaße | Formfaktor | SO-DIMM | ||
| Tiefe | 68 mm | |||
| Höhe | 18 mm | |||
| Zertifikate / Konformitäten | ||||
| CE | Ja | |||
| RoHS konform | Ja | |||
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