Innodisk DDR3-M3SW-2

M3SW-2GSFUC0C-I, M3SW-2GSFUCM7-I, M3SW-2GSFUCN9-I, M3SW-2GSJEC0C-F, M3SW-2GSJECN9-F, M3SW-2GSJEL0C-F, M3SW-2GSJELN9-F

DDR3 ULP/VLP

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR3
// 2 GB
// [128Mx8 | 256Mx8]
// [1066 (DDR3) | 1333 | -] MT/s
// [1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk DDR3-M3SW-2

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-M3SW-2M3SW-2GSFUC0C-I, M3SW-2GSFUCM7-I, M3SW-2GSFUCN9-I, M3SW-2GSJEC0C-F, M3SW-2GSJECN9-F, M3SW-2GSJEL0C-F, M3SW-2GSJELN9-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V MHz
Kapazität2 GB
IC BrandSamsung
IC Organization128Mx8, 256Mx8
PCB S/NE, U
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
CL7, 9, 11
DIMM Datarate1066 (DDR3) MT/s, 1333 MT/s, Original specification MT/s
Die VersionF, I
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe68 mm
Höhe25 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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