Innodisk M4S0 VLP

M4S0-4GNS3CSJ, M4S0-4GSS3CEM, M4S0-4GSS3CIK, M4S0-4GSS3CUN, M4S0-4GWS3CSJ, M4S0-8GM13CEM, M4S0-8GM13CUN, M4S0-8GS13CEM, M4S0-8GS13CIK, M4S0-8GS13CSJ, M4S0-8GS13CUN, M4S0-4GSS3CSJ

DDR4 VLP

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// [4 GB | 8 GB]
// [1Gx8 | 512Mx8]
// [2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

KONFIGURATION

Bitte konfigurieren Sie Ihr Wunschprodukt.
Standardkonfiguration Individualkonfiguration

PRODUKTPREIS

Preise und Lieferzeiten sind für registrierte und angemeldete Kunden sichtbar. Neukunden können diese unverbindlich anfragen.

Verkauf nur an gewerbliche Kunden.
Lieferzeit: auf Anfrage

Basismodul: Innodisk M4S0 VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4S0 VLPM4S0-4GSS3CIK, M4S0-4GSS3CSJ, M4S0-4GSS3CEM, M4S0-4GSS3CUN, M4S0-8GM13CEM, M4S0-8GM13CUN, M4S0-8GS13CEM, M4S0-8GS13CIK, M4S0-8GS13CSJ, M4S0-8GS13CUN, M4S0-4GNS3CSJ, M4S0-4GWS3CSJ, M4S0-4GSS35IK
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Nanya, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 512Mx8
GradeCommercial
CL17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe18 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
LinkedIn Facebook X