Innodisk M1SF

M1SF-12PB3C03-H, M1SF-12PB3C03-I, M1SF-12PB3CDB-H, M1SF-12PB3CDB-I, M1SF-56PB3C03-I, M1SF-56PB3CDB-I, M1SF-12MB3C03-J, M1SF-12MB3CDB-J, M1SF-12MCSC03-J, M1SF-12MCSCDB-J, M1SF-1GMCVC03-J, M1SF-1GMCVCDB-J, M1SF-56MB3C03-J, M1SF-56MB3CDB-J

DDR1

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR1
// [1 GB | 256 MB | 512 MB]
// [32Mx8 | 32Mx16 | 64Mx8]
// [333 | 400 (DDR)] MT/s
// 2.5V

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M1SF

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM1SFM1SF-12MB3CDB-J, M1SF-1GMCVCDB-J, M1SF-56MB3CDB-J, M1SF-12MCSCDB-J, M1SF-12MB3C03-J, M1SF-12MCSC03-J, M1SF-1GMCVC03-J, M1SF-56MB3C03-J, M1SF-12PB3C03-H, M1SF-12PB3CDB-H, M1SF-12PB3C03-I, M1SF-12PB3CDB-I, M1SF-56PB3C03-I, M1SF-56PB3CDB-I
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau200 Pin SO-DIMM DDR1
Memory TypeDDR1
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität1 GB, 256 MB, 512 MB
IC BrandMicron, Promos
IC Organization32Mx8, 32Mx16, 64Mx8
GradeCommercial
CL2½, 3
DIMM Datarate333 MT/s, 400 (DDR) MT/s
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Stromversorgung
Eingangsspannung2.5V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 70°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite68 mm
Höhe32 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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