Innodisk M3ST

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DDR3

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR3
// [1 GB | 2 GB | 4 GB | 8 GB]
// [128Mx16 | 256Mx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
// [1066 (DDR3) | 1333 | 1600 | 1866] MT/s
// 1.50V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3ST

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3STM3ST-2GMJCC0E-K, M3ST-2GMJCCN9-K, M3ST-2GMJCCPC-K, M3ST-2GMVFC0E-P, M3ST-2GMVFCN9-P, M3ST-2GMVFCPC-P, M3ST-2GSVFC0E-E, M3ST-2GSVFCN9-E, M3ST-2GSVFCPC-E, M3ST-4GMJDC0E-K, M3ST-4GMJDCN9-K, M3ST-4GMJDCPC-K, M3ST-4GMSCC0E-P, M3ST-4GMSCCN9-P, M3ST-4GMSCCPC-P, M3ST-4GMV0C0E-P, M3ST-4GMV0CN9-P, M3ST-4GMV0CPC-P, M3ST-4GSSCC0E-E, M3ST-4GSSCCN9-E, M3ST-4GSSCCPC-E, M3ST-4GSV0C0E-E, M3ST-4GSV0CN9-E, M3ST-4GSV0CPC-E, M3ST-8GMSDC0E-P, M3ST-8GMSDCN9-P, M3ST-8GMSDCPC-P, M3ST-8GSSDC0E-E, M3ST-8GSSDCN9-E, M3ST-8GSSDCPC-E, M3ST-2GSVFCM7-E, M3ST-2GWVFC0E-R, M3ST-2GWVFCN9-R, M3ST-2GWVFCPC-R, M3ST-4GWSCC0E-R, M3ST-4GWSCCN9-R, M3ST-4GWSCCPC-R, M3ST-4GWV0C0E-R, M3ST-4GWV0CN9-R, M3ST-4GWV0CPC-R, M3ST-8GWSDC0E-R, M3ST-8GWSDCPC-R, M3ST-8GWSDCN9-R, M3ST-1GMWFC0E-K, M3ST-1GMWFCN9-K, M3ST-1GMWFCPC-K, M3ST-2GSJCCM7-F, M3ST-2GSJCCN9-F, M3ST-2GSJCCPC-F, M3ST-2GSJECN9-F, M3ST-2GSJECPC-F, M3ST-4GSJDC0E-F, M3ST-4GSJDCN9-F, M3ST-4GSJDCPC-F, M3ST-4GSJUC0E-F, M3ST-4GSJUCN9-F, M3ST-4GSJUCPC-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
Kapazität1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung, Winbond
IC Organization128Mx16, 256Mx8, 256Mx16, 512Mx8
GradeCommercial
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1066 (DDR3) MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Die VersionE, F, K, P, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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