Innodisk M3SW-4GS

M3SW-4GSJDC0C-F, M3SW-4GSJDCM7-F, M3SW-4GSJDCN9-F, M3SW-4GSJDL0C-F, M3SW-4GSJDLM7-F, M3SW-4GSJDLN9-F, M3SW-4GSSCC0C-D, M3SW-4GSSCC0C-E, M3SW-4GSSCCM7-D, M3SW-4GSSCCM7-E, M3SW-4GSSCCN9-D, M3SW-4GSSCCN9-E, M3SW-4GSSCL0C-D, M3SW-4GSSCL0C-E, M3SW-4GSSCLN9-D, M3SW-4GSSCLN9-E

DDR3

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR3
// 4 GB
// [256Mx8 | 512Mx8]
// [1066 (DDR3) | 1333 | -] MT/s
// [1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3SW-4GS

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3SW-4GSM3SW-4GSJDC0C-F, M3SW-4GSJDCM7-F, M3SW-4GSJDCN9-F, M3SW-4GSJDL0C-F, M3SW-4GSJDLM7-F, M3SW-4GSJDLN9-F, M3SW-4GSSCC0C-D, M3SW-4GSSCC0C-E, M3SW-4GSSCCM7-D, M3SW-4GSSCCM7-E, M3SW-4GSSCCN9-D, M3SW-4GSSCCN9-E, M3SW-4GSSCL0C-D, M3SW-4GSSCL0C-E, M3SW-4GSSCLN9-D, M3SW-4GSSCLN9-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V MHz
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NC, D
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
CL7, 9, 11
DIMM Datarate1066 (DDR3) MT/s, 1333 MT/s, Original specification MT/s
Die VersionD, E, F
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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