Innodisk M5SZ

M5SZ-8GNYZC0Q-A, M5SZ-8GNYZCVP-A, M5SZ-8GSYZC0Q-P, M5SZ-8GSYZCVP-P, M5SZ-AGH2NC0Q-A, M5SZ-AGH2NCVP-A, M5SZ-AGS2NC0Q-P, M5SZ-AGS2NCVP-P, M5SZ-BGH2OC0Q-A, M5SZ-BGH2OCVP-A, M5SZ-BGS2OC0Q-P, M5SZ-BGS2OCVP-P, M5SZ-FGHZNC0Q-M, M5SZ-FGHZNCVP-M, M5SZ-GGHZOC0Q-M, M5SZ-GGHZOCVP-M

DDR5

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR5
// [8 GB | 16 GB | 24 GB | 32 GB | 48 GB]
// [1Gx16 | 2Gx8 | 3Gx8]
// [4800 | 5600] MT/s
// 1.1V

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M5SZ

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM5SZM5SZ-AGS2NC0Q-P, M5SZ-BGS2OC0Q-P, M5SZ-8GSYZC0Q-P, M5SZ-8GSYZCVP-P, M5SZ-AGS2NCVP-P, M5SZ-BGS2OCVP-P, M5SZ-FGHZNC0Q-M, M5SZ-FGHZNCVP-M, M5SZ-GGHZOC0Q-M, M5SZ-GGHZOCVP-M, M5SZ-AGH2NC0Q-A, M5SZ-AGH2NCVP-A, M5SZ-BGH2OC0Q-A, M5SZ-BGH2OCVP-A, M5SZ-8GNYZC0Q-A, M5SZ-8GNYZCVP-A
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau262 Pin SO-DIMM DDR5
Memory TypeDDR5
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
Kapazität8 GB, 16 GB, 24 GB, 32 GB, 48 GB
IC BrandHynix, Nanya, Samsung
IC Organization1Gx16, 2Gx8, 3Gx8
GradeCommercial
CL40, 46
DIMM Datarate4800 MT/s, 5600 MT/s
Stromversorgung
Eingangsspannung1.1V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 95°C
Lagerung-55° bis 100°C
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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