Innodisk M4RE

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
// [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M4RE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4REM4RE-4GNSAC0M-F, M4RE-4GNSACIK-F, M4RE-4GNSACRG-F, M4RE-4GNSACSJ-F, M4RE-4GNSCCRG-F, M4RE-4GNSCCSJ-F, M4RE-4GSSAC0M-G, M4RE-4GSSACSJ-G, M4RE-4GWSAC0M-R, M4RE-4GWSACIK-R, M4RE-4GWSACRG-R, M4RE-4GWSACSJ-R, M4RE-4GWSCCRG-R, M4RE-4GWSCCSJ-R, M4RE-8GNSBCIK-F, M4RE-8GNSBCSJ-F, M4RE-8GNSBCUN-F, M4RE-8GNSDC0M-F, M4RE-8GNSDCIK-F, M4RE-8GS1AC0M-G, M4RE-8GS1ACIK-G, M4RE-8GWSBCIK-R, M4RE-8GWSBCSJ-R, M4RE-8GWSBCUN-R, M4RE-8GWSDC0M-R, M4RE-8GWSDCIK-R, M4RE-8GWSDCSJ-R, M4RE-AGS1BC0M-G, M4RE-AGS1BCIK-G, M4RE-AGS1DC0M-C, M4RE-AGS1DCUN-C, M4RE-AGS2AC0M-C, M4RE-AGS2CC0M-A, M4RE-AGS2CCUN-A, M4RE-BGM2DC0M-E, M4RE-BGM2DC0M-F, M4RE-BGM2DCUN-E, M4RE-BGM2DCUN-F, M4RE-BGS2BC0M-C, M4RE-BGS2BCUN-C, M4RE-BGS2DC0M-A, M4RE-8GNSDCSJ-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Nanya, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionA, C, E, F, G, R
ECCwird unterstützt
Mechanik / Umgebung
TemperaturLagerung-55° bis 100°C
AbmaßeFormfaktorDIMM
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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