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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
9 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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|
CL |
11 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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|
CL |
9 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
11 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
9 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Innodisk M3BT-1GSJCCPC-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
11 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Innodisk M3BT-1GSJCL0E-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Innodisk M3BT-1GSJCLPC-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 1 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
1 GB |
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CL |
11 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Innodisk M3BT-2GMSCC0E-P Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Innodisk M3BT-2GMSCCPC-P Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Innodisk M3BT-2GMSCL0E-P Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
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|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Innodisk M3BT-2GMSCLPC-P Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Innodisk M3BT-2GSSCC0E-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Innodisk M3BT-2GSSCCN9-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1333 MT/s |
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Innodisk M3BT-2GSSCL0E-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Innodisk M3BT-2GSSCLN9-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Innodisk M3BT-2GSSCLPC-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
| System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Innodisk M3BT-4GSSDLPC-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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| System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
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CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |