DDR4
// SO-DIMM
// DDR4
// 4 GB
// 1Gx8
// 2400 MT/s
// 1.2V
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Basismodul: Innodisk M4BE-4GS1NCSJ-G
| Allgemein | ||||
| SKU / Artikelnummer | M4BE-4GS1NCSJ-G | |||
| Produktgrunddaten | ||||
| Hersteller | Innodisk | |||
| System | ||||
| Speicher | Aufbau | 260 Pin SO-DIMM DDR4 | ||
| Memory Type | DDR4 | |||
| DIMM Type | 32bit Unbuffered SO-DIMM | |||
| Kapazität | 4 GB | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| PCB S/N | N | |||
| Grade | Commercial | |||
| CL | 17 | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| Stromversorgung | ||||
| Eingangsspannung | 1.2V | |||
| Mechanik / Umgebung | ||||
| Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | ||
| Lagerung | -50° bis 100°C | |||
| Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
| Lagerung | 5 bis 95%, nicht kondensierend | |||
| Abmaße | Formfaktor | SO-DIMM | ||
| Breite | 69,6 mm | |||
| Höhe | 30 mm | |||
| Zertifikate / Konformitäten | ||||
| CE | Ja | |||
| RoHS konform | Ja | |||
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