Basismodul: Innodisk M4BE-4GS1NCSJ-G
Allgemein | ||||
SKU / Artikelnummer | M4BE-4GS1NCSJ-G | |||
Produktgrunddaten | ||||
Hersteller | Innodisk | |||
System | ||||
Speicher | Aufbau | 260 Pin SO-DIMM DDR4 | ||
Memory Type | DDR4 | |||
DIMM Type | 32bit Unbuffered SO-DIMM | |||
Kapazität | 4 GB | |||
IC Brand | Samsung | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
PCB S/N | N | |||
Grade | Commercial | |||
CL | 17 | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
Stromversorgung | ||||
Eingangsspannung | 1.2V | |||
Mechanik / Umgebung | ||||
Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | ||
Lagerung | -50° bis 100°C | |||
Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
Lagerung | 5 bis 95%, nicht kondensierend | |||
Abmaße | Formfaktor | SO-DIMM | ||
Breite | 69,6 mm | |||
Höhe | 30 mm | |||
Zertifikate / Konformitäten | ||||
CE | Ja | |||
RoHS konform | Ja |
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