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MINI DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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Die Version |
K |
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PCB S/N |
6 |
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ECC |
wird unterstützt |
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MINI DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
256Mx8 |
|
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
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Die Version |
K |
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PCB S/N |
6 |
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ECC |
wird unterstützt |
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MINI DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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Die Version |
K |
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PCB S/N |
D |
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ECC |
- |
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MINI DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
11 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
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Die Version |
K |
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PCB S/N |
D |
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ECC |
- |
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MINI DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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Die Version |
F |
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PCB S/N |
6 |
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ECC |
- |
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MINI DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
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CL |
11 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
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|
Die Version |
F |
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PCB S/N |
6 |
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ECC |
- |
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MINI DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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|
Die Version |
F |
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|
PCB S/N |
D |
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|
ECC |
- |
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MINI DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
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|
Die Version |
F |
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|
PCB S/N |
D |
|
|
ECC |
- |
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MINI DIMM, DDR3, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
|
|
Die Version |
P |
|
|
PCB S/N |
6 |
|
|
ECC |
wird unterstützt |
Innodisk M3XT-8GMS6LPC-P Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR3, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
|
|
Die Version |
P |
|
|
PCB S/N |
6 |
|
|
ECC |
wird unterstützt |
Innodisk M3XT-8GMSDL0E-P Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
13 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
|
|
Die Version |
P |
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|
PCB S/N |
D |
|
|
ECC |
- |
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MINI DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
|
|
Die Version |
P |
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|
PCB S/N |
D |
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|
ECC |
- |
Innodisk M3XT-8GSS6L0E-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR3, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
13 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
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|
PCB S/N |
6 |
|
|
ECC |
wird unterstützt |
Innodisk M3XT-8GSS6LPC-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR3, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1600 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
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|
PCB S/N |
6 |
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|
ECC |
wird unterstützt |
Innodisk M3XT-8GSSDL0E-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
13 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1866 MT/s |
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|
Die Version |
E |
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|
PCB S/N |
D |
|
|
ECC |
- |
Innodisk M3XT-8GSSDLPC-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
|
|
PCB S/N |
D |
|
|
ECC |
- |