Innodisk M4XE

M4XE-8GSSQCIK-G, M4XE-8GSSQCSJ-G, M4XE-AGS1QCIK-G, M4XE-AGS1QCSJ-G

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// MINI DIMM
// DDR4
// ECC
// [8 GB | 16 GB]
// [1Gx8 | 512Mx8]
// [2400 | 2666] MT/s
// 1.2V

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Basismodul: Innodisk M4XE

Innodisk M4XE-8GSSQCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
MINI DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	19
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	2666 MT/s
		PCB S/N	Q
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M4XE-8GSSQCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
MINI DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	17
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	2400 MT/s
		PCB S/N	Q
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M4XE-AGS1QCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
MINI DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
System	Speicher	Kapazität	16 GB
		CL	19
		IC Organization	1Gx8
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	2666 MT/s
		PCB S/N	Q
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M4XE-AGS1QCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
MINI DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
System	Speicher	Kapazität	16 GB
		CL	17
		IC Organization	1Gx8
		IC Brand	Samsung
		DIMM Datarate	2400 MT/s
		PCB S/N	Q
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C