Innodisk DDR4-M4DS-4GMSPW0J-B

DDR4 WT

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// 4 GB
// 512Mx8
// - MT/s
// 1.2V

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Basismodul: Innodisk DDR4-M4DS-4GMSPW0J-B

Allgemein
	SKU / Artikelnummer			DDR4-M4DS-4GMSPW0J-B
Produktgrunddaten
	Hersteller			Innodisk
System
	Speicher	Aufbau		260 Pin SO-DIMM DDR4
		Memory Type		DDR4
		DIMM Type		ECC Unbuffered SO DIMM
		IC Data Rate		2400 MHz
		Kapazität		4 GB
		IC Brand		Micron
		IC Organization		512Mx8
		PCB S/N		P
		Grade		Wide Temperature
		CL		17
		DIMM Datarate		Original specification MT/s
		Die Version		B
		ECC		wird unterstützt
		Bestückung		Single-Rank
		tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
			Temperaturbereich	-40°C ~ 85°C
Stromversorgung
	Eingangsspannung			1.2V
Mechanik / Umgebung
	Temperatur	Betrieb		-40° bis 85°C
		Lagerung		-50° bis 100°C
	Relative Luftfeuchtigkeit	Betrieb		10 bis 90%, nicht kondensierend
		Lagerung		5 bis 95%, nicht kondensierend
	Abmaße	Formfaktor		SO-DIMM
		Tiefe		70 mm
		Höhe		30 mm
Zertifikate / Konformitäten
	CE			Ja
	RoHS konform			Ja

End of Life (EOL)

Base on supplier’s product discontinue, Innodisk hereby to announce the product plan change for all of DDR4 Micron 512M*8 B die WT IC assembled modules. Innodisk is going to process Micron DDR4 512Mx8 B die WT IC base product termination and running change to Samsung DDR4 512Mx8 F die IC base product series.
Revision:	19051701
Revision date:	17. Mai 2019
Last purchase date:	6. September 2019
Last shipping date:	6. Dezember 2019
Betroffene Produkte:	DDR4-M4DS-4GMSPW0J-B, DDR4-M4DS-8GMSQW0J-B, DDR4-M4U0-8GMSWISJ, M4C0-8GMSMWSJ, M4CS-8GMSMW0J-B, M4US-8GMSWI0J-B, M4US-8GMSKI0J-B, M4US-8GMSKIRG-B
Hinweis Dokument:	PCN 19051701- DDR4 Micron 512Mx8 B die WT IC Product Change Notice.pdf