Innodisk E1.S 4TS2-P eTLC

DSE1S-1T6DP2NCAEFP, DSE1S-1T6DP2NCAEFPH, DSE1S-1T6DP2NCAEFPH1, DSE1S-1T9DP2NCAEFP, DSE1S-1T9DP2NCAEFPH, DSE1S-1T9DP2NCAEFPH1, DSE1S-3T8DP2NCBEFP, DSE1S-3T8DP2NCBEFPH, DSE1S-3T8DP2NCBEFPH1, DSE1S-400DP2NCAEFP, DSE1S-400DP2NCAEFPH, DSE1S-400DP2NCAEFPH1, DSE1S-480DP2NCAEFP, DSE1S-480DP2NCAEFPH, DSE1S-480DP2NCAEFPH1, DSE1S-800DP2NCAEFP, DSE1S-800DP2NCAEFPH, DSE1S-800DP2NCAEFPH1, DSE1S-960DP2NCAEFP, DSE1S-960DP2NCAEFPH, DSE1S-960DP2NCAEFPH1

EDSFF

PRODUKT-FEATURES

// E1.S
// 3D TLC
// PCI Express Gen. 4
// 4TS2-P
// 0° bis 70°C

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk E1.S 4TS2-P eTLC

Allgemein
SKU / ArtikelnummerE1.S 4TS2-P eTLCDSE1S-1T9DP2NCAEFP, DSE1S-1T9DP2NCAEFPH, DSE1S-1T9DP2NCAEFPH1, DSE1S-960DP2NCAEFP, DSE1S-960DP2NCAEFPH, DSE1S-960DP2NCAEFPH1, DSE1S-480DP2NCAEFP, DSE1S-480DP2NCAEFPH, DSE1S-480DP2NCAEFPH1, DSE1S-1T6DP2NCAEFP, DSE1S-1T6DP2NCAEFPH, DSE1S-1T6DP2NCAEFPH1, DSE1S-400DP2NCAEFP, DSE1S-400DP2NCAEFPH, DSE1S-400DP2NCAEFPH1, DSE1S-800DP2NCAEFP, DSE1S-800DP2NCAEFPH, DSE1S-800DP2NCAEFPH1, DSE1S-3T8DP2NCBEFP, DSE1S-3T8DP2NCBEFPH, DSE1S-3T8DP2NCBEFPH1
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
Flash Speichermedien
Serie4TS2-P
Anschluss (Interface)PCI Express Gen. 4
Flash Type3D TLC
ChipgehäuseBGA (Ball Grid Array) A, BGA (Ball Grid Array) B
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit)7000
Kapazität1.6 TB, 1.92 TB, 3.84 TB, 400 GB, 480 GB, 800 GB, 960 GB
ECCWird unterstützt (24 Bit pro 1 KB)
Channel8
Maximale Stromaufnahme9,9 W
iCellwird unterstützt
NVMeJa
PerformanceFlash ChipKioxia (Toshiba)
WärmesensorJa
Externer DRAM Bufferwird unterstützt
Flash Mode3D TLC, 112 Layers (P/E cycle: 7K)
Advanced Encryption Standard (AES)Ja
S.M.A.R.TJa
TCG OpalJa
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 70°C
Lagerung-40° bis 85°C
AbmaßeFormfaktorE1.S
InterfacePCI Express 4.0 x 4
Breite31,5 mm, 33,75 mm
Tiefe111,5 mm, 118,75 mm
Höhe5,9 mm, 9,5 mm, 15 mm
VibrationVibration20G, 7-2000Hz, 3 Axen
SchockMessdaten1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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