Innodisk M3S0

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DDR3

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR3
// [1 GB | 2 GB | 4 GB | 8 GB]
// [128Mx16 | 256Mx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
// [1066 (DDR3) | 1333 | 1600 | 1866] MT/s
// 1.50V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3S0

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3S0M3S0-2GSVFCM7, M3S0-2GMJCCN9, M3S0-2GMJCCPC, M3S0-2GMJCCQE, M3S0-2GMVFCN9, M3S0-2GMVFCPC, M3S0-2GMVFCQE, M3S0-2GSVFCN9, M3S0-2GSVFCPC, M3S0-2GSVFCQE, M3S0-4GMJDCN9, M3S0-4GMJDCPC, M3S0-4GMJDCQE, M3S0-4GMSCCN9, M3S0-4GMSCCPC, M3S0-4GMSCCQE, M3S0-4GMV0CN9, M3S0-4GMV0CPC, M3S0-4GMV0CQE, M3S0-4GSSCCN9, M3S0-4GSSCCPC, M3S0-4GSSCCQE, M3S0-4GSV0CN9, M3S0-4GSV0CPC, M3S0-4GSV0CQE, M3S0-8GMSDCN9, M3S0-8GMSDCPC, M3S0-8GMSDCQE, M3S0-8GSSDCN9, M3S0-8GSSDCPC, M3S0-8GSSDCQE, M3S0-2GWVFCN9, M3S0-2GWVFCPC, M3S0-2GWVFCQE, M3S0-4GWSCCN9, M3S0-4GWSCCPC, M3S0-4GWSCCQE, M3S0-4GWV0CN9, M3S0-4GWV0CPC, M3S0-4GWV0CQE, M3S0-8GWSDCN9, M3S0-8GWSDCPC, M3S0-8GWSDCQE, M3S0-1GMWFCN9, M3S0-1GMWFCPC, M3S0-1GMWFCQE
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung, Winbond
IC Organization128Mx16, 256Mx8, 256Mx16, 512Mx8
GradeCommercial
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1066 (DDR3) MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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