Innodisk M4SE

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
// [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4SE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4SEM4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSNCUN-F, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-2GSVZC0M-F, M4SE-2GSVZCUN-F, M4SE-2GSVZC0M-G, M4SE-2GSVZCIK-G, M4SE-2GSVZCSJ-G, M4SE-2GSVZCUN-G, M4SE-4GSSNC0M-G, M4SE-4GSSNCIK-G, M4SE-4GSSNCSJ-G, M4SE-4GSSNCUN-G, M4SE-8GSSOC0M-G, M4SE-8GSSOCIK-G, M4SE-8GSSOCSJ-G, M4SE-8GSSOCUN-G, M4SE-4GSV8C0M-G, M4SE-4GSV8CIK-G, M4SE-4GSV8CRG-G, M4SE-4GSV8CSJ-G, M4SE-4GSV8CUN-G, M4SE-4GMXZC0M-R, M4SE-4GMXZCUN-R, M4SE-8GH1NC0M-E, M4SE-8GH1NCUN-E, M4SE-8GM1NC0M-R, M4SE-8GM1NCIK-R, M4SE-8GM1NCUN-R, M4SE-8GMX8CIK-R, M4SE-8GMX8CSJ-R, M4SE-AGH1OC0M-E, M4SE-AGH1OCUN-E, M4SE-AGH2NC0M-D, M4SE-AGH2NCUN-D, M4SE-AGM1OC0M-R, M4SE-AGM1OCIK-R, M4SE-AGM1OCUN-R, M4SE-AGM2NC0M-F, M4SE-AGM2NCUN-F, M4SE-BGH2OC0M-D, M4SE-BGH2OCUN-D, M4SE-BGM2OC0M-F, M4SE-BGM2OCUN-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate3200 MHz
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandHynix, Micron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16
GradeCommercial
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionD, E, F, G, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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