|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-2GSVZC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-2GSVZCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-2GSVZCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-2GSVZCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-2GSVZCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GMXZC0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-4GMXZCUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-4GSSNC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GSSNCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GSSNCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GSSNCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-4GSSNCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GSV8C0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GSV8CIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GSV8CRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GSV8CSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-4GSV8CUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GH1NC0M-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
Innodisk M4SE-8GH1NCUN-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
Innodisk M4SE-8GM1NC0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GM1NCIK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GM1NCUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GMX8CIK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GMX8CSJ-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-8GMYZC0M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-8GMYZCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-8GSSOC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GSSOCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-8GSSOCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-8GSSOCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4SE-AGH1OC0M-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
Innodisk M4SE-AGH1OCUN-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
Innodisk M4SE-AGH2NC0M-D Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
D |
Innodisk M4SE-AGH2NCUN-D Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
D |
Innodisk M4SE-AGM1OC0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-AGM1OCIK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-AGM1OCUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4SE-AGM2NC0M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-AGM2NCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-AGMY8C0M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-AGMY8CUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4SE-BGH2OC0M-D Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
D |
Innodisk M4SE-BGH2OCUN-D Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
D |
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
2Gx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
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Die Version |
F |
Innodisk M4SE-BGM2OCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
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CL |
21 |
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IC Organization |
2Gx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
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Die Version |
F |