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DDR4
// SO-DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 1Gx16 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
// [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V
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Basismodul: Innodisk M4SE
| Allgemein | ||||
| SKU / Artikelnummer | M4SEM4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSNCUN-F, M4SE-8GS1NC0M-C, M4SE-8GS1NCUN-C, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-AGS1OC0M-C, M4SE-AGS1OCUN-C, M4SE-BGS2OC0M-A, M4SE-BGS2OC0M-C, M4SE-BGS2OCUN-A, M4SE-BGS2OCUN-C, M4SE-AGS2NC0M-A, M4SE-AGS2NC0M-C, M4SE-AGS2NCUN-A, M4SE-AGS2NCUN-C, M4SE-4GSXZC0M-C, M4SE-4GSXZCUN-C, M4SE-8GSYZC0M-A, M4SE-8GSYZC0M-C, M4SE-8GSYZCUN-A, M4SE-8GSYZCUN-C, M4SE-8GSYZCRG-A, M4SE-AGSY8C0M-C, M4SE-AGSY8CRG-A, M4SE-AGSY8CRG-C, M4SE-AGSY8CUN-C, M4SE-8GSYZCSJ-A, M4SE-8GSYZCSJ-C, M4SE-AGS2NCSJ-C, M4SE-AGSY8CSJ-A, M4SE-AGSY8CSJ-C, M4SE-BGS2OCSJ-C, M4SE-8GSYZCIK-A, M4SE-8GSYZCIK-C, M4SE-AGS2NCIK-C, M4SE-AGSY8CIK-A, M4SE-AGSY8CIK-C, M4SE-BGS2OCIK-C, M4SE-2GSVZC0M-F, M4SE-2GSVZCUN-F, M4SE-2GSVZC0M-G, M4SE-2GSVZCIK-G, M4SE-2GSVZCSJ-G, M4SE-2GSVZCUN-G, M4SE-4GSSNC0M-G, M4SE-4GSSNCIK-G, M4SE-4GSSNCSJ-G, M4SE-4GSSNCUN-G, M4SE-4GSXZC0M-G, M4SE-4GSXZCIK-G, M4SE-4GSXZCSJ-G, M4SE-4GSXZCUN-G, M4SE-8GS1NC0M-G, M4SE-8GS1NCIK-G, M4SE-8GS1NCSJ-G, M4SE-8GS1NCUN-G, M4SE-8GSSOC0M-G, M4SE-8GSSOCIK-G, M4SE-8GSSOCSJ-G, M4SE-8GSSOCUN-G, M4SE-AGS1OC0M-G, M4SE-AGS1OCIK-G, M4SE-AGS1OCSJ-G, M4SE-AGS1OCUN-G, M4SE-4GSV8C0M-G, M4SE-4GSV8CIK-G, M4SE-4GSV8CRG-G, M4SE-4GSV8CSJ-G, M4SE-4GSV8CUN-G, M4SE-8GSX8C0M-G, M4SE-8GSX8CIK-G, M4SE-8GSX8CRG-G, M4SE-8GSX8CSJ-G, M4SE-8GSX8CUN-G | |||
| Produktgrunddaten | ||||
| Hersteller | Innodisk | |||
| System | ||||
| Speicher | Aufbau | 260 Pin SO-DIMM DDR4 | ||
| Memory Type | DDR4 | |||
| DIMM Type | Unbuffered SO-DIMM | |||
| IC Data Rate | 3200 MHz | |||
| Kapazität | 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| IC Organization | 1Gx8, 1Gx16, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16 | |||
| PCB S/N | 8, N, O, Z | |||
| Grade | Commercial | |||
| CL | 15, 17, 19, 21, 22 | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s | |||
| Die Version | A, C, F, G | |||
| ECC | wird nicht unterstützt | |||
| Stromversorgung | ||||
| Eingangsspannung | 1.2V | |||
| Mechanik / Umgebung | ||||
| Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | ||
| Lagerung | -50° bis 100°C | |||
| Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
| Lagerung | 5 bis 95%, nicht kondensierend | |||
| Abmaße | Formfaktor | SO-DIMM | ||
| Tiefe | 70 mm | |||
| Höhe | 30 mm | |||
| Zertifikate / Konformitäten | ||||
| CE | Ja | |||
| RoHS konform | Ja | |||
| End of Life (EOL) | |
| Key Characteristics of the Change: Due to changes in supply conditions, Innodisk hereby announces the product change plan for all DDR4 Samsung 1xnm IC assembled modules Customer Impact of Change and Recommended Action To minimize the impact of product supply, we suggest speeding up the transition from 1xnm to 1znm IC. We will support you in making this transition smoothly to ensure a seamless process. Please contact Innodisk sales if you have any inquiries. | |
| Revision: | D240516 |
| Revision date: | 24. Mai 2024 |
| Last purchase date: | 30. Juni 2025 |
| Last shipping date: | 30. September 2025 |
| Betroffene Produkte: |
M4CE-4GSSLW0M-F, M4CE-8GS1SC0M-C, M4CE-8GSSMW0M-F, M4CE-AGS1MW0M-C, M4CE-AGS1TC0M-C, M4CI-4GSSLC0K-F, M4CI-4GSSLCRG-F, M4CI-4GSSLCSJ-F, M4CI-4GSSLW0K-F, M4CI-4GSSLWSJ-F, M4CI-4GSSSC0K-F, M4CI-4GSSSCRG-F, M4CI-4GSSSCSJ-F, M4CI-8GS1LC0K-C, M4CI-8GS1LCRG-C, M4CI-8GS1LCSJ-C, M4CI-8GS1SC0K-C, M4CI-8GS1SCSJ-C, M4CI-8GSSMC0K-F, M4CI-8GSSMCRG-F, M4CI-8GSSMCSJ-F, M4CI-8GSSMWSJ-F, M4CI-8GSSTC0K-F, M4CI-8GSSTCRG-F, M4CI-8GSSTCSJ-F, M4CI-AGS1MC0K-C, M4CI-AGS1MCRG-C, M4CI-AGS1MCSJ-C, M4CI-AGS1MWSJ-C, M4CI-AGS1TC0K-C, M4CI-AGS1TCSJ-C, M4CI-BGS2T50K-A, M4CI-BGS2TC0K-A, M4DE-2GSVPC0M-F, M4DE-4GSSIC0M-F, M4DE-4GSSPC0M-F, M4DE-4GSSPCUN-F, M4DE-4GSSPW0M-F, M4DE-4GSXPC0M-C, M4DE-8GS1PC0M-C, M4DE-8GS1PCUN-C, M4DE-8GS1PW0M-C, M4DE-8GSSQC0M-F, M4DE-8GSSQCUN-F, M4DE-8GSSQW0M-F, M4DE-8GSSQWUN-F, M4DE-8GSYPC0M-A, M4DE-AGS1QC0M-C, M4DE-AGS1QCIK-C, M4DE-AGS1QCUN-C, M4DE-AGS1QW0M-C, M4DE-AGS1QWUN-C, M4DE-AGS2PC0M-A, M4DE-AGS2PCUN-A, M4DE-BGS2QC0M-A, M4DE-BGS2QCUN-A, M4DE-BGS2QW0M-A, M4DE-BGS2QWUN-A, M4DI-2GSVPC0K-F, M4DI-4GSSIC0K-F, M4DI-4GSSICSJ-F, M4DI-4GSSPC0K-F, M4DI-4GSSPCRG-F, M4DI-4GSSPCSJ-F, M4DI-4GSSPWRG-F, M4DI-4GSSPWSJ-F, M4DI-8GS1IC0K-C, M4DI-8GS1PC0K-C, M4DI-8GS1PCRG-C, M4DI-8GS1PCSJ-C, M4DI-8GS1PW0K-C, M4DI-8GS1PWRG-C, M4DI-8GS1PWSJ-C, M4DI-8GSSQC0K-F, M4DI-8GSSQCRG-F, M4DI-8GSSQCSJ-F, M4DI-8GSSQW0K-F, M4DI-8GSSQWRG-F, M4DI-8GSSQWSJ-F, M4DI-AGS1QC0K-C, M4DI-AGS1QCRG-C, M4DI-AGS1QCSJ-C, M4DI-AGS1QW0K-C, M4DI-AGS1QWRG-C, M4DI-AGS1QWSJ-C, M4DI-BGS2QC0K-A, M4GI-8GSSQ50K-F, M4GI-AGS1Q50K-C, M4GI-BGS2Q50K-A, M4MI-4GSS5CSJ-F, M4MI-8GS15CSJ-C, M4MI-AGS17CSJ-C, M4RE-4GSSA50M-F, M4RE-8GS1A50M-C, M4RE-8GSSB50M-F, M4RE-8GSSB5UN-F, M4RE-AGS1B50M-C, M4RE-AGS1B5UN-C, M4RE-AGS1DC0M-C, M4RE-AGS1DCUN-C, M4RE-AGS2A50M-A, M4RE-AGS2CC0M-A, M4RE-AGS2CCUN-A, M4RE-BGS2B50M-A, M4RE-BGS2B5UN-A, M4RE-BGS2DC0M-A, M4RE-BGS2DCUN-A, M4RI-4GSSA50K-F, M4RI-4GSSA5SJ-F, M4RI-4GSSCCRG-F, M4RI-4GSSCCSJ-F, M4RI-8GS1A50K-C, M4RI-8GS1A5RG-C, M4RI-8GS1A5SJ-C, M4RI-8GS1CCSJ-C, M4RI-8GSSB50K-F, M4RI-8GSSDC0K-F, M4RI-8GSSDCRG-F, M4RI-8GSSDCSJ-F, M4RI-AGS1B50K-C, M4RI-AGS1DC0K-C, M4RI-AGS1DCRG-C, M4RI-AGS1DCSJ-C, M4RI-BGS2B50K-A, M4RI-BGS2DC0K-A, M4RI-BGS3G50K-C, M4RI-BGS3G5RG-C, M4RI-BGS3G5SJ-C, M4SE-2GSVZC0M-F, M4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSNI0M-F, M4SE-4GSSNIUN-F, M4SE-4GSXZC0M-C, M4SE-4GSXZCUN-C, M4SE-8GS13C0M-C, M4SE-8GS1NC0M-C, M4SE-8GS1NCUN-C, M4SE-8GS1NI0M-C, M4SE-8GS1NIUN-C, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-8GSSOI0M-F, M4SE-8GSSOIUN-F, M4SE-8GSYZC0M-A, M4SE-8GSYZCIK-A, M4SE-8GSYZCRG-A, M4SE-8GSYZCSJ-A, M4SE-AGS1OC0M-C, M4SE-AGS1OCUN-C, M4SE-AGS1OI0M-C, M4SE-AGS1OIUN-C, M4SE-AGS2NC0M-A, M4SE-AGS2NCUN-A, M4SE-AGSY8CIK-A, M4SE-AGSY8CRG-A, M4SE-AGSY8CSJ-A, M4SE-BGS2OC0M-A, M4SE-BGS2OCUN-A, M4SE-BGS2OI0M-A, M4SE-BGS2OIUN-A, M4SI-2GSVZC0K-F, M4SI-2GSVZCRG-F, M4SI-2GSVZCSJ-F, M4SI-4GSS3C0K-F, M4SI-4GSS3CRG-F, M4SI-4GSS3CSJ-F, M4SI-4GSSNC0K-F, M4SI-4GSSNCRG-F, M4SI-4GSSNCSJ-F, M4SI-4GSSNI0K-F, M4SI-4GSSNIRG-F, M4SI-4GSSNISJ-F, M4SI-4GSV8C0K-F, M4SI-4GSV8CRG-F, M4SI-4GSV8CSJ-F, M4SI-4GSXZC0K-C, M4SI-4GSXZCRG-C, M4SI-4GSXZCSJ-C, M4SI-8GS13C0K-C, M4SI-8GS13CRG-C, M4SI-8GS13CSJ-C, M4SI-8GS1NC0K-C, M4SI-8GS1NCRG-C, M4SI-8GS1NCSJ-C, M4SI-8GS1NI0K-C, M4SI-8GS1NIRG-C, M4SI-8GS1NISJ-C, M4SI-8GSSOC0K-F, M4SI-8GSSOCRG-F, M4SI-8GSSOCSJ-F, M4SI-8GSSOI0K-F, M4SI-8GSSOIRG-F, M4SI-8GSSOISJ-F, M4SI-8GSX8C0K-C, M4SI-8GSX8CRG-C, M4SI-8GSX8CSJ-C, M4SI-AGS1OC0K-C, M4SI-AGS1OCRG-C, M4SI-AGS1OCSJ-C, M4SI-AGS1OI0K-C, M4SI-AGS1OIRG-C, M4SI-AGS1OISJ-C, M4SI-BGS2OC0K-A, M4SS-AGS1O5RG-B, M4UE-4GSSJC0M-F, M4UE-4GSSJCUN-F, M4UE-4GSSJI0M-F, M4UE-4GSX1C0M-C, M4UE-4GSX1CUN-C, M4UE-4GSX8C0M-C, M4UE-8GS1JC0M-C, M4UE-8GS1JCUN-C, M4UE-8GS1JI0M-C, M4UE-8GS1VC0M-C, M4UE-8GS1VCUN-C, M4UE-8GSSKC0M-F, M4UE-8GSSKCUN-F, M4UE-8GSSKI0M-F, M4UE-8GSX2C0M-C, M4UE-8GSX2CUN-C, M4UE-8GSY1C0M-A, M4UE-8GSY1CIK-A, M4UE-8GSY1CUN-A, M4UE-AGS1KC0M-C, M4UE-AGS1KCUN-C, M4UE-AGS1KI0M-C, M4UE-AGS1WCUN-C, M4UE-AGSY2C0M-A, M4UE-AGSY2CIK-A, M4UE-AGSY2CSJ-A, M4UE-AGSY2CUN-A, M4UE-BGS2KC0M-A, M4UE-BGS2KCUN-A, M4UE-BGS2KI0M-A, M4UE-BGS2WC0M-A, M4UE-BGS2WCUN-A, M4UI-4GSSJI0K-F, M4UI-4GSSJIRG-F, M4UI-4GSSJISJ-F, M4UI-4GSSVC0K-F, M4UI-4GSSVCRG-F, M4UI-4GSSVCSJ-F, M4UI-4GSX8C0K-C, M4UI-4GSX8CSJ-C, M4UI-8GS1JI0K-C, M4UI-8GS1JISJ-C, M4UI-8GS1VCRG-C, M4UI-8GSSKI0K-F, M4UI-8GSSKIRG-F, M4UI-8GSSKISJ-F, M4UI-8GSSWC0K-F, M4UI-8GSSWCRG-F, M4UI-8GSSWCSJ-F, M4UI-8GSSWIRG-F, M4UI-8GSSWISJ-F, M4UI-AGS1KI0K-C, M4UI-AGS1KIRG-C, M4UI-AGS1KISJ-C, M4UI-AGS1WC0K-C, M4UI-AGS1WCRG-C, M4UI-AGS1WCSJ-C, M4UI-AGS1WIRG-C, M4UI-AGS1WISJ-C, M4UI-BGS2WC0K-A
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| Hinweis Dokument: | [PCN_D240516] DDR4 product change notice from Samsung 1xnm IC to 1znm IC.pdf |
Innodisk M4SE-2GSVZC0M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8C0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NC0M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOC0M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCUN-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8C0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCIK-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCRG-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCSJ-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCUN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OC0M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCUN-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8C0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CIK-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CRG-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CSJ-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
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||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
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||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCUN-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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