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DDR4
// SO-DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 1Gx16 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
// [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V
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Basismodul: Innodisk M4S0
| Allgemein | ||||
| SKU / Artikelnummer | M4S0M4S0-4GNSNCEM, M4S0-4GNSNCUN, M4S0-8GN1NCEM, M4S0-8GN1NCUN, M4S0-8GNSOCEM, M4S0-8GNSOCUN, M4S0-AGN1OCEM, M4S0-AGN1OCUN, M4S0-2GNVZCEM, M4S0-2GNVZCUN, M4S0-4GNV8CEM, M4S0-4GNV8CUN, M4S0-4GNXZCEM, M4S0-4GNXZCUN, M4S0-8GNX8CEM, M4S0-8GNX8CUN, M4S0-AGS2NCEM, M4S0-AGS2NCUN, M4S0-BGS2OCEM, M4S0-BGS2OCIK, M4S0-BGS2OCUN, M4S0-2GWVZCEM, M4S0-2GWVZCUN, M4S0-4GWSNCEM, M4S0-4GWSNCUN, M4S0-4GWV8CEM, M4S0-4GWV8CUN, M4S0-8GWSOCEM, M4S0-8GWSOCUN, M4S0-4GSSNCIK, M4S0-8GSSOCIK, M4S0-8GS1NCIK, M4S0-8GS1NCRG, M4S0-4GNSNCIK, M4S0-4GNSNCRG, M4S0-4GNSNCSJ, M4S0-4GWSNCIK, M4S0-4GWSNCRG, M4S0-4GWSNCSJ, M4S0-8GNSOCIK, M4S0-8GNSOCRG, M4S0-8GNSOCSJ, M4S0-8GWSOCIK, M4S0-8GWSOCRG, M4S0-8GWSOCSJ, M4S0-2GNVZCIK, M4S0-2GWVZCIK, M4S0-4GNV8CIK, M4S0-4GNV8CSJ, M4S0-4GWV8CIK, M4S0-4GWV8CSJ, M4S0-4GMXZCEM, M4S0-2GSVZCEM, M4S0-2GSVZCIK, M4S0-2GSVZCUN, M4S0-4GSV8CIK, M4S0-4GSV8CSJ, M4S0-4GSSNCEM, M4S0-4GSSNCRG, M4S0-4GSSNCSJ, M4S0-4GSSNCUN, M4S0-8GSSOCEM, M4S0-8GSSOCRG, M4S0-8GSSOCSJ, M4S0-8GSSOCUN, M4S0-2GSVZCRG, M4S0-2GSVZCSJ, M4S0-4GMXZCUN, M4S0-4GSV8CEM, M4S0-4GSV8CRG, M4S0-4GSV8CUN, M4S0-4GSXZCEM, M4S0-4GSXZCIK, M4S0-4GSXZCRG, M4S0-4GSXZCSJ, M4S0-4GSXZCUN, M4S0-8GM1NCEM, M4S0-8GM1NCIK, M4S0-8GM1NCUN, M4S0-8GMX8CIK, M4S0-8GMX8CSJ, M4S0-8GMYZCEM, M4S0-8GMYZCUN, M4S0-8GS1NCEM, M4S0-8GS1NCSJ, M4S0-8GS1NCUN, M4S0-8GSX8CEM, M4S0-8GSX8CIK, M4S0-8GSX8CRG, M4S0-8GSX8CSJ, M4S0-8GSX8CUN, M4S0-8GSYZCEM, M4S0-8GSYZCIK, M4S0-8GSYZCRG, M4S0-8GSYZCSJ, M4S0-8GSYZCUN, M4S0-AGH2NCEM, M4S0-AGH2NCUN, M4S0-AGM1OCEM, M4S0-AGM1OCIK, M4S0-AGM1OCUN, M4S0-AGM2NCEM, M4S0-AGM2NCUN, M4S0-AGMY8CEM, M4S0-AGMY8CUN, M4S0-AGS1OCEM, M4S0-AGS1OCIK, M4S0-AGS1OCRG, M4S0-AGS1OCSJ, M4S0-AGS1OCUN, M4S0-AGSY8CEM, M4S0-AGSY8CIK, M4S0-AGSY8CRG, M4S0-AGSY8CSJ, M4S0-AGSY8CUN, M4S0-BGH2OCEM, M4S0-BGH2OCUN, M4S0-BGM2OCEM, M4S0-BGM2OCUN | |||
| Produktgrunddaten | ||||
| Hersteller | Innodisk | |||
| System | ||||
| Speicher | Aufbau | 260 Pin SO-DIMM DDR4 | ||
| Memory Type | DDR4 | |||
| DIMM Type | Unbuffered SO-DIMM | |||
| IC Data Rate | Non-Fixed MHz | |||
| Kapazität | 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB | |||
| IC Brand | Hynix, Micron, Nanya, Samsung, Winbond | |||
| IC Organization | 1Gx8, 1Gx16, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16 | |||
| Grade | Commercial | |||
| CL | 15, 17, 19, 21, 22 | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s | |||
| ECC | wird nicht unterstützt | |||
| Stromversorgung | ||||
| Eingangsspannung | 1.2V | |||
| Mechanik / Umgebung | ||||
| Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | ||
| Lagerung | -55° bis 100°C | |||
| Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
| Lagerung | 5 bis 95%, nicht kondensierend | |||
| Abmaße | Formfaktor | SO-DIMM | ||
| Breite | 69,6 mm | |||
| Höhe | 30 mm | |||
| Zertifikate / Konformitäten | ||||
| CE | Ja | |||
| RoHS konform | Ja | |||
| End of Life (EOL) | |
| Title DDR4 product change notice for Samsung 4Gb 1znm IC Key Characteristics of the Change: Due to changes in supply conditions, Innodisk hereby announces the product change plan for all DDR4 Samsung 4Gb 1znm IC assembled modules. | |
| Revision: | D251025 |
| Revision date: | 23. Dezember 2025 |
| Last purchase date: | 31. März 2026 |
| Last shipping date: | 30. Juni 2026 |
| Betroffene Produkte: |
M4C0-4GSSL5EM, M4C0-4GSSL5SJ, M4C0-4GSSLCEM, M4C0-4GSSLCIK, M4C0-4GSSLCRG, M4C0-4GSSLCSJ, M4C0-8GSSMCIK, M4C0-8GSSMCRG, M4C0-8GSSMCSJ, M4C0-8GSSTCSJ, M4CE-4GSSL50M-G, M4CE-4GSSL5SJ-G, M4CE-4GSSLC0M-G, M4CE-4GSSLCIK-G, M4CE-4GSSLCRG-G, M4CE-4GSSLCSJ-G, M4CE-4GSSSCIK-G, M4CE-8GSSMC0M-G, M4CE-8GSSMCIK-G, M4CE-8GSSMCRG-G, M4CE-8GSSMCSJ-G, M4CE-8GSSMW0M-G, M4CE-8GSSMWSJ-G, M4CE-8GSSTCIK-G, M4CE-8GSSTCSJ-G, M4D0-4GSSICSJ, M4D0-4GSSP5EM, M4D0-4GSSP5IK, M4D0-4GSSPCEM, M4D0-4GSSPCIK, M4D0-4GSSPCRG, M4D0-4GSSPCSJ, M4D0-8GSSQ5RG, M4D0-8GSSQ5SJ, M4D0-8GSSQCEM, M4D0-8GSSQCIK, M4D0-8GSSQCRG, M4D0-8GSSQCSJ, M4DE-2GSVPC0M-G, M4DE-2GSVPCIK-G, M4DE-4GSSIC0M-G, M4DE-4GSSICSJ-G, M4DE-4GSSP50M-G, M4DE-4GSSP5IK-G, M4DE-4GSSP5RG-G, M4DE-4GSSPC0M-G, M4DE-4GSSPCIK-G, M4DE-4GSSPCRG-G, M4DE-4GSSPCSJ-G, M4DE-8GSSQ50M-G, M4DE-8GSSQ5RG-G, M4DE-8GSSQ5SJ-G, M4DE-8GSSQC0M-G, M4DE-8GSSQCIK-G, M4DE-8GSSQCRG-G, M4DE-8GSSQCSJ-G, M4DE-8GSSQW0M-G, M4ME-4GSSXCSJ-G, M4R0-4GSSACEM, M4R0-4GSSACIK, M4R0-4GSSACRG, M4R0-4GSSACSJ, M4R0-8GSSBCIK, M4R0-8GSSBCSJ, M4R0-8GSSDCIK, M4RE-4GSSAC0M-G, M4RE-4GSSACRG-G, M4RE-4GSSACSJ-G, M4RE-4GSSCCRG-G, M4RE-4GSSCCSJ-G, M4RE-8GSSBCIK-G, M4RE-8GSSBCSJ-G, M4RE-8GSSBCUN-G, M4RE-8GSSD5IK-G, M4RE-8GSSDC0M-G, M4RE-8GSSDCIK-G, M4RE-8GSSDCSJ-G, M4S0-2GSVZCEM, M4S0-2GSVZCIK, M4S0-2GSVZCUN, M4S0-4GSS35IK, M4S0-4GSS3CSJ, M4S0-4GSSN5EM, M4S0-4GSSN5IK, M4S0-4GSSN5RG, M4S0-4GSSN5SJ, M4S0-4GSSNCEM, M4S0-4GSSNCIK, M4S0-4GSSNCRG, M4S0-4GSSNCSJ, M4S0-4GSSNCUN, M4S0-4GSSNIEM, M4S0-4GSSNIIK, M4S0-4GSSNISJ, M4S0-4GSV8CIK, M4S0-4GSV8CSJ, M4S0-8GSSO5EM, M4S0-8GSSO5IK, M4S0-8GSSO5RG, M4S0-8GSSO5SJ, M4S0-8GSSOCEM, M4S0-8GSSOCIK, M4S0-8GSSOCRG, M4S0-8GSSOCSJ, M4S0-8GSSOCUN, M4S0-8GSSOIRG, M4SE-2GSVZ50M-G, M4SE-2GSVZC0M-G, M4SE-2GSVZCIK-G, M4SE-2GSVZCUN-G, M4SE-4GSS35IK-G, M4SE-4GSS3CSJ-G, M4SE-4GSSN50M-G, M4SE-4GSSN5IK-G, M4SE-4GSSN5RG-G, M4SE-4GSSN5SJ-G, M4SE-4GSSNC0M-G, M4SE-4GSSNCIK-G, M4SE-4GSSNCRG-G, M4SE-4GSSNCSJ-G, M4SE-4GSSNCUN-G, M4SE-4GSSNG0M-G, M4SE-4GSSNHRG-G, M4SE-4GSSNI0M-G, M4SE-4GSSNIIK-G, M4SE-4GSSNISJ-G, M4SE-4GSV8C0M-G, M4SE-4GSV8CIK-G, M4SE-4GSV8CSJ-G, M4SE-8GSSO50M-G, M4SE-8GSSO5IK-G, M4SE-8GSSO5RG-G, M4SE-8GSSO5SJ-G, M4SE-8GSSOC0M-G, M4SE-8GSSOCIK-G, M4SE-8GSSOCRG-G, M4SE-8GSSOCSJ-G, M4SE-8GSSOCUN-G, M4SE-8GSSOIRG-G, M4SE-8GSSOISJ-G, M4U0-2GSV1CSJ, M4U0-4GSSJCEM, M4U0-4GSSJCIK, M4U0-4GSSJCRG, M4U0-4GSSJCSJ, M4U0-4GSSJCUN, M4U0-4GSSVCIK, M4U0-4GSSVCSJ, M4U0-4GSV2CIK, M4U0-8GSSKCEM, M4U0-8GSSKCIK, M4U0-8GSSKCRG, M4U0-8GSSKCSJ, M4U0-8GSSKCUN, M4U0-8GSSW5IK, M4U0-8GSSWCIK, M4UE-2GSV1C0M-G, M4UE-2GSV1CIK-G, M4UE-2GSV1CSJ-G, M4UE-4GSSJ50M-G, M4UE-4GSSJ5IK-G, M4UE-4GSSJC0M-G, M4UE-4GSSJCIK-G, M4UE-4GSSJCRG-G, M4UE-4GSSJCSJ-G, M4UE-4GSSJCUN-G, M4UE-4GSSVCIK-G, M4UE-4GSSVCSJ-G, M4UE-4GSV2CIK-G, M4UE-4GSV2CRG-G, M4UE-8GSSK50M-G, M4UE-8GSSKC0M-G, M4UE-8GSSKCIK-G, M4UE-8GSSKCRG-G, M4UE-8GSSKCSJ-G, M4UE-8GSSKCUN-G, M4UE-8GSSW5IK-G, M4UE-8GSSWCIK-G, M4UE-8GSSWIIK-G
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| Hinweis Dokument: | Innodisk PCN_D251025 DDR4 product change notice for Samsung 4Gb 1znm IC.pdf |
Innodisk M4S0-2GNVZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GNVZCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GNVZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GSVZCEM (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GSVZCIK (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GSVZCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GSVZCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GSVZCUN (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GWVZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GWVZCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-2GWVZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GMXZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GMXZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNSNCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNSNCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNSNCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNSNCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNSNCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNV8CEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNV8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNV8CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNV8CUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNXZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GNXZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSSNCEM (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSSNCIK (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSSNCRG (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSSNCSJ (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSSNCUN (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSV8CEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSV8CIK (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSV8CRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSV8CSJ (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSV8CUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSXZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSXZCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSXZCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSXZCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GSXZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWSNCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWSNCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWSNCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWSNCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWSNCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWV8CEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWV8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWV8CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-4GWV8CUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GM1NCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GM1NCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GM1NCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GMX8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GMX8CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GMYZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GMYZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GN1NCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GN1NCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GNSOCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GNSOCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GNSOCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GNSOCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GNSOCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GNX8CEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GNX8CUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GS1NCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GS1NCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GS1NCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GS1NCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GS1NCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSSOCEM (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSSOCIK (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSSOCRG (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSSOCSJ (Achtung EOL: LTB 31.03.2026) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSX8CEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSX8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSX8CRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSX8CUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSYZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSYZCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSYZCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSYZCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GSYZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GWSOCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GWSOCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GWSOCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GWSOCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-8GWSOCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Winbond | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGH2NCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Hynix | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGH2NCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Hynix | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGM1OCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGM1OCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGM1OCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGM2NCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGM2NCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGMY8CEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGMY8CUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGN1OCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGN1OCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Nanya | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGS1OCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGS1OCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGS1OCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGS1OCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGS1OCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGS2NCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGS2NCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGSY8CEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGSY8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGSY8CRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2133 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGSY8CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2400 MT/s | |||
Innodisk M4S0-AGSY8CUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-BGH2OCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Hynix | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-BGH2OCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Hynix | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-BGM2OCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-BGM2OCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Micron | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
Innodisk M4S0-BGS2OCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 3200 MT/s | |||
Innodisk M4S0-BGS2OCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
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||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2666 MT/s | |||
Innodisk M4S0-BGS2OCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| DIMM Datarate | 2933 MT/s | |||
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