Innodisk M4S0

M4S0-2GNVZCEM, M4S0-2GNVZCUN, M4S0-2GWVZCEM, M4S0-2GWVZCUN, M4S0-4GNSNCEM, M4S0-4GNSNCUN, M4S0-4GNV8CEM, M4S0-4GNV8CUN, M4S0-4GNXZCEM, M4S0-4GNXZCUN, M4S0-4GWSNCEM, M4S0-4GWSNCUN, M4S0-4GWV8CEM, M4S0-4GWV8CUN, M4S0-8GN1NCEM, M4S0-8GN1NCUN, M4S0-8GNSOCEM, M4S0-8GNSOCUN, M4S0-8GNX8CEM, M4S0-8GNX8CUN, M4S0-8GWSOCEM, M4S0-8GWSOCUN, M4S0-AGN1OCEM, M4S0-AGN1OCUN, M4S0-AGS2NCEM, M4S0-AGS2NCUN, M4S0-BGS2OCEM, M4S0-BGS2OCIK, M4S0-BGS2OCUN

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
// [2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4S0

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4S0M4S0-4GNSNCEM, M4S0-4GNSNCUN, M4S0-8GN1NCEM, M4S0-8GN1NCUN, M4S0-8GNSOCEM, M4S0-8GNSOCUN, M4S0-AGN1OCEM, M4S0-AGN1OCUN, M4S0-2GNVZCEM, M4S0-2GNVZCUN, M4S0-4GNV8CEM, M4S0-4GNV8CUN, M4S0-4GNXZCEM, M4S0-4GNXZCUN, M4S0-8GNX8CEM, M4S0-8GNX8CUN, M4S0-AGS2NCEM, M4S0-AGS2NCUN, M4S0-BGS2OCEM, M4S0-BGS2OCIK, M4S0-BGS2OCUN, M4S0-2GWVZCEM, M4S0-2GWVZCUN, M4S0-4GWSNCEM, M4S0-4GWSNCUN, M4S0-4GWV8CEM, M4S0-4GWV8CUN, M4S0-8GWSOCEM, M4S0-8GWSOCUN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandNanya, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16
GradeCommercial
CL19, 21, 22
DIMM Datarate2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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