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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
9 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
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IC Data Rate |
DDR3-1333 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
DDR3-1333 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
DDR3-1333 MHz |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
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IC Data Rate |
DDR3-1333 MHz |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
DDR3-1333 MHz |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
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CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
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IC Data Rate |
DDR3-1333 MHz |
|
|
IC Brand |
Winbond |
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DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1600 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1600 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1600 MHz |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1600 MHz |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1600 MHz |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1600 MHz |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
Innodisk ACT4GHR72N8J1866M Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
13 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1866 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
Innodisk ACT4GHR72N8J1866M-LV Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1866 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
Innodisk ACT4GHR72N8J1866S Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
13 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1866 MHz |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1866 MHz |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
Innodisk ACT4GHR72N8J1866W Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1866 MHz |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
Innodisk ACT4GHR72N8J1866W-LV Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1866 MHz |
|
|
IC Brand |
Winbond |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
Innodisk ACT4GHR72P8H1333M Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Data Rate |
DDR3-1333 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
Innodisk ACT4GHR72P8H1333M-LV Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
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CL |
9 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Data Rate |
DDR3-1333 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1333 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1600 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
Innodisk ACT4GHR72P8H1600M-LV Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.35V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
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CL |
11 |
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IC Organization |
256Mx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1600 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |
Innodisk ACT4GHR72P8H1866M Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
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System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
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CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1866 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.50V |
Innodisk ACT4GHR72P8H1866M-LV Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, ECC, 4 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.35V
|
System |
Speicher |
tREFI Parameter 1 |
Average Periodic Refresh Interval |
7.8 µS |
|
|
CL |
13 |
|
|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Data Rate |
1866 MHz |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 MT/s |
Stromversorgung |
Eingangsspannung |
1.35V |