Innodisk M4R0

M4R0-4GSSACEM, M4R0-4GSSACIK, M4R0-4GSSACRG, M4R0-4GSSACSJ, M4R0-4GSSACUN, M4R0-8GH1ACEM, M4R0-8GH1ACUN, M4R0-8GM1ACEM, M4R0-8GM1ACIK, M4R0-8GM1ACUN, M4R0-8GSSBCEM, M4R0-8GSSBCIK, M4R0-8GSSBCRG, M4R0-8GSSBCSJ, M4R0-8GSSBCUN, M4R0-AGH1BCEM, M4R0-AGH1BCUN, M4R0-AGH2ACEM, M4R0-AGH2ACUN, M4R0-AGM1BCEM, M4R0-AGM1BCIK, M4R0-AGM1BCUN, M4R0-AGM2ACEM, M4R0-AGM2ACUN, M4R0-BGH2BCEM, M4R0-BGH2BCUN, M4R0-BGM2BCEM, M4R0-BGM2BCUN, M4R0-BGS3GCEM, M4R0-CGS7GCEM

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// ECC
// [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB | 64 GB]
// [1Gx8 | 2Gx4 | 2Gx8 | 4Gx4 (DDP) | 512Mx8]
// [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4R0

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4R0M4R0-4GSSACEM, M4R0-4GSSACIK, M4R0-4GSSACRG, M4R0-4GSSACSJ, M4R0-4GSSACUN, M4R0-8GSSBCEM, M4R0-8GSSBCIK, M4R0-8GSSBCRG, M4R0-8GSSBCSJ, M4R0-8GSSBCUN, M4R0-BGS3GCEM, M4R0-CGS7GCEM, M4R0-8GH1ACEM, M4R0-8GH1ACUN, M4R0-8GM1ACEM, M4R0-8GM1ACIK, M4R0-8GM1ACUN, M4R0-AGH1BCEM, M4R0-AGH1BCUN, M4R0-AGH2ACEM, M4R0-AGH2ACUN, M4R0-AGM1BCEM, M4R0-AGM1BCIK, M4R0-AGM1BCUN, M4R0-AGM2ACEM, M4R0-AGM2ACUN, M4R0-BGH2BCEM, M4R0-BGH2BCUN, M4R0-BGM2BCEM, M4R0-BGM2BCUN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin Registered DIMM DDR4 mit ECC
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB, 64 GB
IC BrandHynix, Micron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx4, 2Gx8, 4Gx4 (DDP), 512Mx8
GradeCommercial
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe31 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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