Innodisk M4R0

M4R0-4GNSACEM, M4R0-4GNSACUN, M4R0-4GWSACEM, M4R0-4GWSACUN, M4R0-8GN1ACEM, M4R0-8GN1ACUN, M4R0-8GNSBCEM, M4R0-8GNSBCUN, M4R0-8GWSBCEM, M4R0-8GWSBCUN, M4R0-AGN1BCEM, M4R0-AGN1BCUN, M4R0-AGS2ACEM, M4R0-AGS2ACUN, M4R0-BGS2BCEM, M4R0-BGS2BCIK, M4R0-BGS2BCUN

DDR4

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
// [2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4R0

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4R0M4R0-4GNSACEM, M4R0-4GNSACUN, M4R0-8GN1ACEM, M4R0-8GN1ACUN, M4R0-8GNSBCEM, M4R0-8GNSBCUN, M4R0-AGN1BCEM, M4R0-AGN1BCUN, M4R0-AGS2ACEM, M4R0-AGS2ACUN, M4R0-BGS2BCEM, M4R0-BGS2BCIK, M4R0-BGS2BCUN, M4R0-4GWSACEM, M4R0-4GWSACUN, M4R0-8GWSBCEM, M4R0-8GWSBCUN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin Registered DIMM DDR4 mit ECC
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandNanya, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeCommercial
CL19, 21, 22
DIMM Datarate2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe31 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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