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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Nanya |
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
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CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Nanya |
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
Innodisk M4R0-4GSSACEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-4GSSACIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2666 MT/s |
Innodisk M4R0-4GSSACRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
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IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2133 MT/s |
Innodisk M4R0-4GSSACSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2400 MT/s |
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-8GM1ACIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
2666 MT/s |
Innodisk M4R0-8GM1ACUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
Innodisk M4R0-8GN1ACEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Nanya |
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-8GN1ACUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Nanya |
|
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
Innodisk M4R0-8GNSBCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Nanya |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-8GNSBCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Nanya |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
Innodisk M4R0-8GS1ACEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-8GS1ACIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2666 MT/s |
Innodisk M4R0-8GS1ACRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 MT/s |
Innodisk M4R0-8GS1ACSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
Innodisk M4R0-8GS1ACUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
Innodisk M4R0-8GSSBCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-8GSSBCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2666 MT/s |
Innodisk M4R0-8GSSBCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
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CL |
15 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2133 MT/s |
Innodisk M4R0-8GSSBCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
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CL |
17 |
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IC Organization |
512Mx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
Innodisk M4R0-8GSSBCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
Innodisk M4R0-AGM1BCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
22 |
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IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-AGM1BCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
2666 MT/s |
Innodisk M4R0-AGM1BCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
Innodisk M4R0-AGN1BCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Nanya |
|
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-AGN1BCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Nanya |
|
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |
Innodisk M4R0-AGS1BCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
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CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
3200 MT/s |
Innodisk M4R0-AGS1BCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
1Gx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2666 MT/s |
Innodisk M4R0-AGS1BCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133 MT/s, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
15 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2133 MT/s |
Innodisk M4R0-AGS1BCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
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CL |
17 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2400 MT/s |
Innodisk M4R0-AGS1BCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
21 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2933 MT/s |